| 主权项 |
1.一种分子束磊晶装置,其包含:一生长室(2)可抽空至超高度真空;该生长室有一安装部份(2b)设有一供V类元素之汽化器(5a)以及供另外材料之其他汽化器(5b,5C),暨一托座支芜装置(3)设置于该生长室内以支承一基片托座(H);每一汽化器(5a,5b,5c)有发射开口朝向托座支承装置(3)所支承之托座(H)中心;该等其他汽化器(5B,5C)之发射开口各别可藉密闭装置(7)关闭;其特征为该V类元素汽化器(5a)之发射开口为不可关闭且始终保持开放者。2.根据申请专利范围第1项之装置,其中安装部份(2a)为生长室(2)之平截头底部。3.根据申请专利范围第1项之装置,其中V类元素汽化器(5a)系位于与托座支承装置(3)正相对,该等其他汽化器(5b,5c)系配置于该V类元素汽化器(5a)周围成环状排列。4.根据申请专利范围第2项之装置,其中V类元素汽化器(5a)系位于托座支承装置(3)正下方,该等其他汽化器(5b,5c)系配置于V 类元素汽化器(5a)周围成环状排列。5.根据申请专利范围第1项之装置,其中V类元素汽化器( |
