| 主权项 |
1.一种激励线圈装置包含: 一种坚实之平面上的支撑元件(30) ,该元件包含一种半导基体; 藉由金属化作用,在基体(30)之表 面(F1)附近,至少有一个第一平面上 的线圈(BI)产生,形成第一层(CI); 至少有一个第二平面上的线圈(BS) ,形成第二层(CS),于半导基体(30) 的该表面(F1)之附近,与第一层CI相 互重叠,在同一个基体上,该线圈层(CI ,CS),形成一种上层与邻近下层之单石 与整体布置。2.如申请专利范围第1项之装置,其中第一 与第二层(CI,CS)包含一种相同数量n 的线圈,在基体(30),该第一线圈BI, 相对于该第二线圈(BS),具有一种角度 约180/n度之角度偏移量。3.如申请专利范围第1或2项之装置,其中 一层之该线圈(BI1-4),具有一种外部端 子(e1-4),其它层之该线圈(BS5-8), 具有一种内部端子(i5-8),及藉由一种 个别的〝连接面〞接点(60),线圈或是 有一个外部端,电性的连接到个别之内部 端子。4.如申请专利范围第3项之装置,其中线圈 或是每一〝连接面〞接点(60),藉由一 种个别引线(Ci5-8),电性的连接者,从 这个线圈向外延伸,及由一对分叉部分( 70)终止其延伸,电性的连接到个别的控 制元件(C1-8)上。5.如申请专利范围第4项之装置,其中于相同平面上提供该引线(CI5-8),如同该线 圈(BI1-4)到外部端子,为电性连接者。6.如申请专利范围第1或第2项之装置,其 中一层(CS)之n-1个线圈(BS16-18) 的外部端子,与其它层(CI)之其中一个 n-1个相对应线圈(BI11-14),最近的 内部端子,个别的电性连接在一起,该其 它层(CI)之n个线圈(BI11-14)的外部 端子,与一层(CS)n个线圈(BS15-18) 之其中一个,最近之内部端子,个别的电 性连接在一起,及该一层(CS)之一个线圈(BS15)的外部端子,与该其它层(CI )之一个线圈(BI12)的内部端子,连接 到一个控制元件(C9) ,串联的连接到 该层的线圈。7.如申请专利范围第1或第2项之装置,其 中每一层之线圈(BI21-24,BI25-28)的内部端子,藉由引线,连接在一起,向基体 的中心点收歛,及藉由一种〝连接面〞接 点(80),连接在一起,其中一个内部端 子(i22),具有一条引线(82),从线圈向外延伸,以供连接到一个控制元件(C12 ),所有线圈(BI21-24,BS25-28)的外部 端子,藉由周围引线(84),相互的连接 在一起,至少部分的围绕该线圈,及连接到该控制元件(C10),以便平行的连接两 层的线圈。8.如申请专利范围第1项之装置,其中一层 的每一个线圈(BS35-38),相对于其它层 个别的其中一个线圈(BI31-34),同轴的 放置者,一层的线圈(BS35-38),直接和 其它层的线圈(BI31-34)重叠者。9.一种用来制造申请专利范围第1项所述之 激励线圈装置之方法,包含藉由一种光照 制图方法,在一种半导基体(30)形成一 种面,线圈(BI)的第一层及一些引线, 电性的连接具有控制电路的线圈及/或与 其它线圈同时的连接在一起,一个或多个 〝连接面〞接点60,及然后,同时的重叠 在第一层,第二层的线圈BS,及某些线圈 的引线。10.如申请专利范围第9项之方法,包含, 在相同时间,如第一层(CI) 的线圈( BI1-4),第二层的引线(Ci5-8)的形成, 及,相反的,在相同时间,如第二层(CS ),第一线圈层(CI)的引线的形成。11.一种电磁的,最好是多相的,微马达, 包含一定子(2) ,一转子(1) 可相对 于该定子(2) 绕一几何旋转轴心线(A )枢转,该转子(1) 及该定子(2)提 供一空间以形成一空气间隙(E),在该 空气间隙中设有磁化装置(8) 及一依据 申请专利范围第1项之激励线圈装置(14 )。 |
