| 发明名称 |
PROCEDIMENTO PER LA REALIZZAZIONE DI CELLE DI MEMORIA A SOLA LETTURA PROGRAMMABILI E CANCELLABILI ELETTRICAMENTE A SINGOLO LIVELLO DI POLISILICIO |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
ITMI913196(D0) |
申请公布日期 |
1991.11.29 |
| 申请号 |
IT1991MI03196 |
申请日期 |
1991.11.29 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS SRL |
发明人 |
GHEZZI PAOLO;FEDERICO PIO;RIVA CARLO |
| 分类号 |
G11C17/00;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
G11C17/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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