| 摘要 |
L'invention concerne un procédé pour la réalisation d'une grille "champignon" de transistor hyperfréquence. <BR/> Sur le corps semiconducteur d'un transistor (1) sont déposées trois couches (9, 10, 11) de masquage, dont au moins deux sont différentes (10, 11) et ont des solvants sélectifs. Après ouverture (12) de la couche externe (11), la couche intermédiaire (10) est dissoute avec sous-gravure par rapport à la couche externe (11), puis le pied de la grille est gravé (17) dans la couche interne (9). Les bords (15, 16) de la sous-gravure évitent que le métal (19, 20) déposé sur le masque n'adhère à la grille (18), ce qui facilite la dissolution (lift-off) du masque. <BR/> Application aux transistors hyperfréquence, avec grille champignon symétrique ou dissymétrique.
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