| 主权项 |
1.一种动态逻辑单元(1)包括:方形磁滞回路磁性材料之磁心装置(3,53,55);卷绕在该磁心装置上之一输入绕组(9,67);卷绕在该磁心装置上之一输出绕组装置(11,57);卷绕在该磁心装置上之一单一控制绕组(13,59),一使用中之具足够强度的直流电流加至控制绕组以在一方向饱和该输出绕组(11,57)卷绕之至少部份磁心装置 (3,53),其中加至输入绕组具足够强度以在相反方向饱和磁心装置之脉冲在跨过输出绕组产生输出脉冲,而在流经控制绕组(13,59)之电流不存在时使得磁心装置在该相反方向中维持饱和以阻断加至输入绕组之脉冲出现在输出绕组,控制绕组和磁心之结合使得每次控制绕组电流被中断时,不想要之交换尖峰发生于输出绕组中;和一额外之绕组装置(61)接至于该输出绕组;其特征在该于额外之绕组装置(61)可消除不想要之交换尖峰,且监别器一整形器装置(15,73)跨接于输出绕组以产生类似于加至输入绕组脉冲之输出脉冲。2.如申请专利范围第1项之动态逻辑单元(1),其中该监别器一整形器(15)包括一CMOS正反器(17)和一接地R-C低通滤波器(23,25)接于该输出绕组(11)和一输入(S-R)间至该CMOS正反器(17),该逻辑单元(1)包含连接该二输出绕组之串接至地之装置。3.如申请专利范围第1项之动态逻辑单元(49),其中该额外绕组装置包括一接至该第一输出绕组之第二输出绕组,且该磁心装置包括第一和第二磁心(53,55),且其中该输入绕组被卷绕以连结第一和第二磁心(53,55),其中该控制绕组(59)只卷绕于第一磁心,一输出绕组只卷绕于第一磁心带有一极性,而该第二输出绕组只卷绕于第二磁心带有相反极性。4.如申请专利范围第3项之动态逻辑单元(49),其中该监别器一整形器包括-R-SCMOS正反器(73)而该输出绕组(17)之一接至正反器(73)之R输入且另一输出绕组(61)接至正反器之S输入。5.如申请专利范围第1项之动态逻辑单元,其中该输入绕组装置及额外之绕组装置包括一对串接线圈,而该对线圈之一卷绕在第一磁心于一方向且另一线圈卷挠在第二磁心于相同方向。6.如申请专利范围第5项之动态逻辑单元,其中该对串接线圈包括一具有中分接头之单一线圈。7.如申请专利范围第5项之动态逻辑单元,包含一具有一设定输入和一重设输入之正反器及连接该串接输出绕组之一至该正反器之设定输入及另一串接输出绕组至该重设输人之装置。8.如申请专利范围第7项之动态逻辑单元,其中该正反器是-R-SCMOS正反器。图示简单说明:图1是依照本发明之第一实施例的一动态逻辑单元之一电路图。图2是一磁滞图其图示本发明动态逻辑单元磁心之磁特性。图3是依照本发明另一实施例一动态逻辑单元之一示意电路图。 |
