使具有光学品质之单晶生长之湿热方法

摘要

本发明揭示：在昇高之温度下，使晶体MTiOXO4生长之湿热方法，此方法采用包含矿化物溶液之一种生长介质，且其特征为：采用含水之矿化物溶液其中，Ｍ的浓度是至少大约８体积莫取浓度，及其特征为：在结晶期间，采用低于大约５００℃及／或小于１４，０００ｐｓｉ之压力之生长区域。Ｍ系由Ｋ，Ｒｂ，Ｔ__和ＮＨ４及其混合物所组成之该团中所选出，而Ｘ系由Ｐ和Ａｓ及其混合物所组成之该团中所选出。