发明名称 METHOD OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING A SUBSTRATE WITH POLISHING COMPOSITION ADAPTED TO ENHANCE SILICON OXIDE REMOVAL
摘要 실리콘 옥사이드를 포함하는 기판을 제공하는 단계; 초기 성분으로서, 물; 마모제; 및 하기 화학식 I에 따른 물질을 포함하는 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 연마 표면을 갖는 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 기판에 대해 연마 표면을 이동시키는 단계; 화학 기계적 연마 조성물을 연마 표면에 분배하는 단계; 및 기판의 적어도 일부를 마모시켜 기판을 연마하는 단계를 포함하고, 화학 기계적 연마 조성물에 포함된 화학식 I에 따른 물질이 증강된 실리콘 옥사이드 제거 속도 및 개선된 연마 결함 성능을 제공하며, 기판으로부터 실리콘 옥사이드의 적어도 일부가 제거되는, 기판의 화학 기계적 연마방법이 제공된다:(I) (상기 화학식 I에서, R, R및 R은 서로 독립적으로 C알킬 그룹으로부터 선택된다.)
申请公布号 KR101672809(B1) 申请公布日期 2016.11.04
申请号 KR20110022818 申请日期 2011.03.15
申请人 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 发明人 구오 이;루 젠동;칸차를라-아룬 쿠마르 레디;장 광윤
分类号 H01L21/304;B24B37/24;B24B37/26;B24D18/00;C09G1/02;C09K3/14;H01L21/306;H01L21/3105 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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