| 发明名称 | FinFET器件的结构和形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的鳍沟道结构。半导体器件结构也包括覆盖鳍沟道结构的部分的栅极堆叠件。半导体器件结构还包括邻近鳍沟道结构的源极/漏极结构以及位于半导体衬底和鳍沟道结构之间的掺杂区。此外，半导体器件结构包括位于鳍沟道结构和掺杂区之间的阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN106206676A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201510267201.2 | 申请日期 | 2015.05.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 江国诚 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件结构，包括：半导体衬底；鳍沟道结构，位于所述半导体衬底上方；栅极堆叠件，覆盖所述鳍沟道结构的部分；源极/漏极结构，邻近所述鳍沟道结构；掺杂区，位于所述半导体衬底和所述鳍沟道结构之间；以及阻挡层，位于所述鳍沟道结构和所述掺杂区之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||