| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法，使具有贯通电极的半导体芯片的配线布局自由度提高。在半导体基板(30)设置着贯通电极(66)及多层配线(MH1)，在多层配线(MH1)设置着最下层连接配线(54)、下层连接配线(57)、上层连接配线(59)及最上层连接配线(61)，将贯通电极(66)与最下层连接配线(54)接合，以避开贯通电极(66)的正上方的方式配置通孔(60)。 | ||
| 申请公布号 | CN106206337A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201510854778.3 | 申请日期 | 2015.11.30 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 渡边慎也;南部俊弘 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于具备：半导体层；多层配线，设置在所述半导体层；栅极电极，设置在所述半导体层；以及贯通电极，贯通所述半导体层，且与所述多层配线中的最下层配线直接接触。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||