半导体积体记忆电路

摘要

一种高密度非依电性之半导体积体记忆电路，由一动态随机存取记忆体，一个由铁电材质所构成之电容，以及一个用来对此电容进行充放电之开关用的电晶体所组成。储存在由依电性记忆体所组成之动态随机存取记忆体中之电容内的资讯，是以任意方式被记存于由铁电性材质所构成的材质中。

主权项

1.一种半导体积体记忆电路,包含:-第一电晶体,拥有闸极,汲极和源极,第一电晶体将其闸极以外之一个主要电极连接到一位元线上;-第一电容,将其一电极连接到前述第一电晶体之另一主要电极上;-第一连线,连接至前述第一电容之另一电极上;-字元线,连接至前述第一电晶体之闸极上;-第二电晶体,将其闸极以外之一个主要电极连接到先前提及之第一电晶体中第二次提到的主要电极上;-第二电容,由铁电性材贸所构成,并将其一电极连接到该第二电晶体的另一主要电极上;-第二连线连接至该第二电晶体的间极上;以及-第三连线连接至该第二电容上。2.一种半导体积体记忆电路,包含:-第一电晶体,拥有闸极,汲极和源极,第一电晶体将其闸极以外的一个主要电极连接到一位元线上;-第一电容,将其一电极连接到前述第一电晶体之另一主要电极上;-第一连线,连接至该第一电容之另一电极上;-第一字元线,连接至该第一电晶体的闸极上;-第二电晶体将其闸极以外的一个主要电极连接到该位元线上;-第二电容,由铁电性材质所构成,并将其一电极连接到该第二电晶体的另一主要电极上;-第二连线,连接至该第二电晶体之闸极上;以及-第