发明名称 蚀刻光可成像聚醯亚胺的方法
摘要 本发明系有关由6FDA,DMDE或MEDA与感光基之聚合性缩合产品来制备光可成像之聚醯亚胺。详而言之,本发明系有关可应用于电子的光可成像聚醯亚胺涂料。
申请公布号 TW193239 申请公布日期 1992.10.21
申请号 TW079104096 申请日期 1990.05.21
申请人 安莫克股份有限公司 发明人 大卫唐诺
分类号 C09D133/24;G03C1/74 主分类号 C09D133/24
代理机构 代理人 郑自添 台北巿敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种蚀刻光可成像聚 亚 的方法,包括:(A)在底材 上涂一层光可成像聚 亚 涂层;(b) 以遮蔽物遮蔽光 可成像聚 亚 涂层的特定部位以形成覆盖之光可 成像聚 亚 涂层及未覆盖之光可成像聚 亚 涂层之图形;(c) 经光化辐射使未覆盖之光可成像聚 亚 产生交连;( d) 去掉遮蔽物;及(e) 以蚀刻组成物去掉未覆盖之光 可成像 聚 亚 涂层;因此可形成至少3微米之分离光像:其 中 该光可成像聚 亚 包含下式之重复单位其中R1包括 四价 二 成分,由2,2-双(3,4- 基苯基)六氟丙烷二 与四 价光敏成分即3,3',4,4'-二苯甲酮四 酸二 二者所 构成,二者之莫耳比为从10:70莫耳百分率至90:30莫 耳百 分率,其中数量平均分子量为10,000至30,000克/莫耳 。2.一种蚀刻光可成像聚 亚 的方法,包括:(A)在底 材 上涂一层聚 亚 ;(b) 以遮蔽物遮蔽光可成像聚 亚 的特定部位以形成覆盖之光可成像聚亚 涂层及未 覆盖 之光可成像聚 亚 的图形;(c) 经光化辐射使未覆盖 之 光可成像聚 亚 产生交连;(d) 去掉遮蔽物;及(e) 以 蚀刻组成物去掉未覆盖之光可成像聚 亚 ;其中聚 亚 包含二 成分之聚缩合产物,该二 成分包含2,3,5 ,6-四甲基-1,4-苯二 及由2,2-双(3,4-二 苯基)- 六氟丙烷二 与3,3',4,4'-二苯基酮四 酸二 所构 成之二 成分,其中二 成分系由2,2-双(3,4-二 苯 基)-六氟丙烷二 相对于3,3',4,4'=二苯基酮四 酸 二 之莫耳比为从10:70莫耳百分率至90:30莫耳百分 率之 二者所构成,其中聚 亚 之数量平均分子量为10,000 至
地址 美国