| 发明名称 |
SILICON CARBIDE-BASED HEAT TREATING MEMBER FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH051382(A) |
申请公布日期 |
1993.01.08 |
| 申请号 |
JP19910179010 |
申请日期 |
1991.06.25 |
| 申请人 |
TOSHIBA CERAMICS CO LTD |
发明人 |
MIYAZAKI AKIRA;HAYASHI TATEO |
| 分类号 |
C01B31/36;C23C16/44;H01L21/205 |
主分类号 |
C01B31/36 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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