| 主权项 |
1.一种使用于高精度电子零件之制程系统,该系统包括:(a)一个生产线,包含连续地配置之多数个工作站,使用处理将形成工作件,到该电子零件;选择一个此工作站,使用于个液体处理剂的应用到该工作站;(b)传送该工作件到沿该生产线连续的该工作站之装置;和(c)一个次单元,在该选择工作站邻接该生产线,以超高纯度形式提供该液体处理剂,该次单元被提供原材料包括一个气体原材料,并且包括:(i)纯化装置,使用于纯化该气体原村料,其纯度合符于半导体制造标准;(ii)化合该气体原材料装置,因此纯化一个合符半导体制造标准纯度的进一步原材料;在条件下因此该气体原材料和该进一步原材料,转换成该超高纯度液体处理剂,其速率大约地相等于应用到一个工作件之该液体处理剂;和(iii)应用该超高纯度液体处理剂装置,因此直接地在该工作站形成到一个工作件;该生产线,该传送装置,和该次单元,所有均在无污染环境,并且在半导体制造标准。2.如申请专利范围第1项之系统,所述之该气体原材料,系从氨,氟化氢,氯化氢,溴化氢,磷,胂和二氧化硫。3.如申请专利范围第1项之系统,所述纯化装置,使用于纯化该气体原材料,是一个分馏柱,一个微过滤或超过滤薄膜或这些组合所选择的。4.如申请守利范围第1项之系统,所述纯化装置,使用于纯化该气体原材料,包括过滤薄膜移除大于0.005微米的粒子。5.如申请专利范围第1项之系统,所述该次单元,进一步包括装置使用于形成气体原材料,其利用液体的电解。6.如申请专利范围第1项之系统,所述该进一步原材枓是薄膜,从超高纯度水,H2SO4,氢气体和空气所选择。7.如申请专利范围第1项之系统,所述该气体原材料定义成一个第一气体原材料,并且该进一步原材料包括水,加上实质地纯度等于该第一气体原材料之第二气体原材料。8.如申请专利范围第1项之系统,所述之化合该气体原材料和该进一步原材料之装置,被定位于该装置的大约30公分内,使用于应用该超高纯度液体处理剂到该工作件,沿着该生产线。9.如申请专利范围第1项之系统,所述之化合该气体原材料如该进一步原材料之装置,因此产生该超高纯度液体处理剂,其速率大约200CC/h到大约2L/h。10.如申请专利范围第1项之系统,所述该次单元的零件(ii)和(iii)连续或半连续流动的配置。11.如申请专利范围第1项之系统,所述该进一步原材料是水,其在25℃具有至少大约15百万欧姆一公分的阻抗,电解质少于大约25pph,一个特别内容少于大约150/cm3,和一个微有机体内容少于大约10/cm3。12.如申请专利范围第1项之系统,所述之化合语气体原材料和该进一步原材料之该装置,是一个元件从雾接触器 |
