| 主权项 |
1﹒一种动态随机存取记忆元的电容器的制作方法,其步骤包含:(1)在基体上形成隔离活化区所需的氧化层;(2)形成MOS电晶体;(3)沈积第一层绝缘层后,形成记忆元接触区;(4)沈积第一层导电层后以电浆蚀刻技术除去不需要的部份,形成凸出物的结构(5)沈积第二层绝缘层后,以非均向性蚀刻技术在第一导电层的凸出物的结构旁侧形成第二层绝缘层的侧壁子;(6)沈积第二层绝缘层后,以非均向性蚀刻技术在第二绝缘层旁侧形成第二层导电层的侧壁子,并与第一层导电层的凹出物结构相连接;(7)蚀去第一绝缘层,而形成多层壳状物的导电体结构,作为电容器的下层电极(8)在此多层壳状物的导电体结构之上形成极薄的绝缘体后,再沈积一导电体,并制定其图案,作为电容器的上层电极。3﹒如申请专利范围第1项之制作方法,其中所述第一导电层为复晶矽,其厚度在刚完成沈积时为3000埃到12000埃之间。3﹒如申请专利范围第1项之制作方法,其中所述第二层绝缘层为二氧化矽,其厚度约为500埃到5000埃之间。4﹒如申请专利范围第1项之制件方法,其中,所述第二层导电层为复晶矽,其厚度约为500埃到5000埃之间。5﹒如申请专利范围第1项之制作方法,其中制作过程包含步骤(5)及步骤(6)一次以上。6﹒如申请专利范围第1项之制作方法,其中所述第一导电层的凸出物结构的制作方法,系包含:a﹒沈积第一导电层后,在其上沈积一层光阻;b以微影技术制定所述光阻和第一导电层的图案;c以均向性电浆蚀刻技术侧向蚀刻所述光阻,使成为柱状的结构;d﹒利用此柱状的光阻,以非均向性的蚀刻技术蚀刻没有光阻遮蔽区域的第一导电层,而形成─U型的第一导电层凸出物。图示简单说明图1至12为本发明之制程剖面图,其中图5到12为第一实施例。 |
