| 摘要 |
Transistor de puissance à effet de champ composé d'un substrat doté de surfaces supérieure et inférieure, d'au moins une région centrale (2) d'un premier type de conductivité qui s'étend jusqu'à ladite surface supérieure (4), d'au moins une région de base (6) qui s'étend dans le substrat depuis la surface supérieure, la région de base étant d'un second type de conductivité et ayant au moins deux parties entre lesquelles s'étend la région centrale, et une grille isolée (20) disposée à la surface supérieure au-dessus de la région centrale. Ledit substrat possède en outre une région de protection (30) du second type de conductivité qui s'étend dans la région centrale à partir de la surface supérieure, à un emplacement situé sous la grille, entouré par les parties de la région de base et espacé de ladite région de base par des parties de la région centrale du premier type de conductivité. |
