| 发明名称 |
Lithography method and apparatus comprising correction process of mask and pellicle |
| 摘要 |
노광 방법이 제공된다. 상기 노광 방법은, 노광 장치 내에서, 마스크 및 상기 마스크 덮는 펠리클을 이용하여 노광 공정을 수행하는 단계, 상기 노광 공정 중에 발생된 열에 의해, 상기 마스크 및 상기 펠리클이 변형되는 경우, 상기 마스크 및 상기 펠리클의 변형 정도를 측정하는 단계, 및 상기 마스크 및 상기 펠리클의 변형 정도에 따라서, 상기 마스크 및 상기 펠리클을 교정하는 단계를 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160127242(A) |
申请公布日期 |
2016.11.03 |
| 申请号 |
KR20150057870 |
申请日期 |
2015.04.24 |
| 申请人 |
INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY ERICA CAMPUS |
发明人 |
LEE, JUNG HWAN;PARK, JIN GOO;AHN, JIN HO;OH, HYE KEUN;KIM, JUNG HWAN;KIM, IN SEON;KIM, MIN SU |
| 分类号 |
H01L21/027;G03F1/66;G03F7/20;H01L21/033 |
主分类号 |
H01L21/027 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
