| 主权项 |
1﹒一种制造于粒子型聚合作用中之乙烯共聚 物之方法,其使用粒化含钛触媒及粒化合 铬触媒之混合物,其中结果共聚物之分子 量分布较相同条件下仅使用含钛触媒所获 共聚物之分布宽,而其中结果共聚物平均 分子量较相同条件下仅使用含熔触媒所获 共聚物之平均分子量低,该方法包括: 将乙烯及至少一种选自含3至18个碳 原子阿伐一烯经之共单体,在液态稀释剂 中,粒子型聚合作用条件下,及在彼等触 媒与有机铝化合物之混合物存在下相接触 ,而此有机铝化合物系作为供活化含钛触 媒之大触媒,其中该液态稀释剂合不超过 每百万该有机铝化合物之20份,其中聚合 作用在不超过110℃温度下进行,其中若 粒化含钛触媒单独在相同聚合作用条件下 使用,会产生具高于钛为主触媒平均分子 量之共聚物,且其中粒化钛为主触媒系藉 四烷氧化钛(其烷基含1至10个碳原子) 与二卤化镁在合适液体中反应,获得一溶 液,将该溶液与卤化烃基铝接触,产生沈 淀,将该沈淀与四氯化钛接触,然后再将 结果所得固体与烃基铝化合物接触,其中 钛触媒对铬触媒之重量比例在自80:20至20:80之范围 。 2﹒一种制造于粒子型聚合作用中之乙烯共聚 物之方法,其使用粒化含钛触媒及粒化含 铬触媒之混合物,其中结果共聚物之分子 量分布较相同条件下仅使用含钛触媒所获 共聚物之分布宽,而其中结果共聚物平均 分子量较相同条件下仅使用含铬触媒所获 共聚物之平均分子量低,该方法包括: 将乙烯及至少一种选自含3至18个碳 原子阿伐─烯烃之共单体,在液态稀释剂 中,粒子型聚合作用条件下,该触媒与保 作为供活化含钛触媒之共触媒之有机铝化 合物之混合物存在下相接触,其中该液态 稀释剂合不超过每百万该有机铝化合物之 20份,其中聚合作用在不超过110℃温度 下进行,其中若粒化合钛触媒单独在相同 聚合作用条件下使用会产生具高于钛为主 触媒平均分于量之共聚物,该含铬触媒系 含氧化矽之低孔体积触媒,该含铬触媒最 先在空气中温度800℉至1100℉范围内活 化,按着在温度500℉至900℉范围内以 一氧化碳还原,且其中粒化钛为主触媒系 藉四乙氧化钛与二卤化镁在合适液体中反 应,获得一溶液,将该溶液与下式卤化烃 基铝RmAIX3─m接触,其中m为1至 2范围中之数,R为具1至8个碳原子烃 基,X为卤素,而产生沈淀,在沈淀上形 成相聚物,将该预聚合沈淀物与四氯化钛 接触,然后再将结果所得固体与烃基铝化 合物接触,其中钛触媒对铬触媒之重量比 例在自80:20至20:80之范围。 3﹒根据申请专利范围第2项之方法,其中该 含铬触媒系藉合并铬至二氧化矽上及在空 气中,温度范围在800℉至1100℉下活化 ,然后将结果所得含铬二氧化矽以一氧化 碳在温度范围500℉至900℉下还原而制 备。 4﹒根据申请专利范围第3项之方法,其中该 沈淀剂系选自倍半氯化乙基铝、氯化二乙 基铝及二氯化乙苯铝。 5﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中以 莫耳比例而言,主要之烯烃为乙烯。 6﹒根据申请专利范围第5项之方法,其中该 含钛触媒系藉四乙氧化钛及二氯化镁在合 适液体中反应,获得一溶液,将该溶液与 倍半氯化乙基铝接触,获得一沈淀,以四 氯化钛处理沈淀,按着以三二基铝处理而 制备。 7﹒根据申请专利范围第1或2项之方法,其 中该含钛触媒含烯烃预聚物。 8﹒根据申请专利范围第7项之方法,其中烯 烃预聚物在固体接触四氯化钛前沈积于含 钛触媒。 9﹒根据申请专利范围第1或2项之方法,其 中该铬触媒含0﹒1至10重量%铬。 10﹒根据申请专利范围第1或2项之方法, 其中经共聚合之烯烃包括乙烯及1─己烯。 11﹒根据申请专利范围第10之方法,其中聚 合作用在氢存在下进行。 12﹒根据申请专利范围第5之方法,其中含 钛触媒系藉选自其烷基具1至10个碳原子 四烷氯化钛与二氯化镁,在合适液体中反 应,获得一溶液,将该溶液与选自式Rm AlX 3─m化合物之卤化烃基铝接触,其 中R为其1至8个碳原子烷基,X为氯, m为1至2范围内之数,而获得一沈淀物 ,以四氯化钛处理沈淀,然后以三烷基铝 处理,其中烷基含1至4个碳原子而制备。 13﹒ 根据申请专利范围第1或2项之方法, 其中聚合作用在少量但有效量含三乙基铝 之共触媒存在下进行。 14﹒根据申请专利范围第13项之方法,其中 该铬触媒及该钛触媒系独立送料至聚合作 用区且铬触媒对钛触媒之比例系用以控制 所产生共聚物之熔化指数、密度及/或分 于品分布。 15﹒根据申请专利范围第1或2项之方法, 其中该共触媒包括三烷基铝。 |
