III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR,申请号JP19920317006-传众专利搜索

发明名称	III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号	JPH06163605(A)	申请公布日期	1994.06.10
申请号	JP19920317006	申请日期	1992.11.26
申请人	NEC CORP	发明人	MATSUMURA TAKAO
分类号	H01L21/338;H01L29/43;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/338	主分类号	H01L21/338
代理机构		代理人
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