| 主权项 |
1﹒一种下式之亚胺唑化合物, 式中,R1为卤素或卤基(C1一C4)烷基 ;R2为C1─C4烷基,氯,溴或碘:R3 为(C1一C6烷基)羰基,(C3一C6环 烷基)羰基,(C1一C6烷氧基)羰基, (C1一C6烷氧烷基)羰基,(C1一C4烷 基环丙基)羰基,卤基(C1一C4烷基)羰 基,卤基(C1一C6烷基)磺醯基,(C1一 C6烷基)磺醯基或(C2一C6烷氧基烷氧 基)羰基;及R4为卤素。 2﹒如申请专利范围第1项之化合物,其中R4 在对位上。 3﹒如申请专利范围第2项之化合物,其中R4 为氟。 4﹒如申请专利范围第1项之化合物,其中R1 为卤基(C1一C3)烷基。 5﹒如申请专利范围第4项之化合物,其中R1 为三氟甲基。 6﹒如申请专利范围第1项之化合物,其中R2 为C1一C2烷基。 7﹒一种制造下式之亚胺唑化合物之方法 [式中,R1为卤素或卤基(C1一C4)烷 基;R3为(C1一C6烷基)羰基,(C3一 C6环烷基)羰基,(C1一C6烷氧基)羰 基,(C1一C6烷氧烷基)羰基,(C1一 C4烷基环丙基)羰基,卤基(C1一C4烷 基)羰基,卤基(C1一C6烷基)磺醯基 ,(C1─C6烷基)磺醯基或(C2一C6烷 氧基烷氧基)羰基;R4为卤素;及R6 为氢或甲基],此方法包括: 使不式之亚胺唑啶化合物, [式中,R1,R3,R4及R6之定义悉如 上述],与硷或酸相反应而获得者。 8﹒一种制造下式之亚胺唑化合物之方法 [式中,R1为卤素或由其(C1一C4)烷 基;R3为(C1一C6烷基)羰基,(C3一 C6环烷基)羰基,(C1一C6烷氧基)羰 基,(C1一C6烷氧烷基)羰基,(C1一 C4烷基环丙基)羰基,卤基(C1一C4烷 基)羰基,卤基(C1一C6烷基)磺醯基 ,(C1一C6烷基)磺醯基或(C2一C6烷 氧基烷氧基)羰基;R4为卤素;及R6 为氢或甲基],此方法包括:便不式之亚胺 唑化合物, [式中,R1,R4及R6之定义悉如上述 ],于硷之存在下,与下式之化合物;R3─ Cl或R3一O一R3相反应,或与下式之 化合物:R3一O一H(式中,R3之定义 如上述)相反应而得者。 9﹒一种制造下式之亚胺唑化合物之方法 [式中,R1为卤素或卤基(C1一C4)烷 基;R4为卤素;R6为氢或甲基;及R9 为C1一C6烷基],此方法包括: 使下式之亚胺唑化合物, [式中,R1,R4及R6 之定义悉如上述 ,及R8为C1一C6烷基],于硷之存在下 ,与下式之醇相反应, R9一OH (XV) [式中,R9为C1一C6烷基]而获得者。 10﹒一种制造下式之亚胺唑化合物之方法 [式中,R1为卤素或卤基(C1一C4)烷 基;R3为(C1一C6烷基)羰基,(C3一 C6环烷基)羰基,(C1一C6烷氧基)羰 基,(C1一C6烷氧烷基)羰基,(C1一 C4烷基环丙基)羰基,卤基(C1一C4烷 基)羰基,卤基(C1一C6烷基)磺醯基 ,(C1一C6烷基)磺醯基或(C2一C6烷 氧基烷氧基)羰基;R4为卤素及R10为 氯,溴或碘],此方法包括: 使下式之亚胺唑化合物, [式中,R1,R3及R4之定义悉如上述 ],与氯化,溴化或碘化剂相反应而获得者 一种下式之亚胺唑化合物, 式中,R1为卤素或卤基(C1一C4)烷基 R4为卤素:及R6为氢或甲基。 12﹒一种制造下式之亚胺唑化合物之方法 [式中,R1 为卤素或卤基(C1一C4)烷 基;R4为卤素;及R6为氢或甲基],该 方法包括: 使下式之化合物以酸水解, [式中,R1,R4及R6之定义悉如上述 ,及R7为C1─6烷基碳基]。 13﹒一种除草组成物,包括:作为活性成分之 具除草有效量之如申请专利范围第1项之 化合物,及惰性载剂或稀释剂。 14﹒如申请专利范围第13项之组成物,系用 以防治杂草。 |
