| 主权项 |
1.一种抛光半导体基质(13)之抛光垫(81,101,71,121),其中该抛光垫包含:一边缘;一包括有第一平均细孔尺寸的复数个细孔之第一区(83,104,74,123),其中此第一区位于此边缘近邻;及一包括具有第二平均细孔尺寸的复数个细孔之第二区(82,102,72,122),其中此第二区(82,102,72,122)位于第一区近邻且较第一区(83,104,74,123)更远离边缘,其中使此抛光垫(81,101,71,121)具构形,使得:第二区(82,102,72)具复数个开孔(84,75),其中复数个开孔(84,75)之各开孔:具有约250-1000微米之宽度;或具有大于第一区平均细孔尺寸之约25-1000百分率范围的宽度;或第二平均细孔尺寸大于第一平均细孔尺寸。2.一种抛光半导体基质(13)之方法,该基质具有一中心点及具主要表面大小之主要表面,其中此法之步骤包含:将此基质(13)置于一抛光机内;及以一抛光垫(81,101,71,121),抛光此基质(13),其中此抛光垫(81,101,71,121)包括:一边缘;一包括具有第一平均细孔尺寸的复数个细孔之第一区(83,104,74,123),其中此第一区位于边缘之近邻;及一包括具有第二平均细孔尺寸的复数个细孔之第二区(82,102,72,122),其中此第二区(82,102,72,122)位于此第一区之近邻且较第一区更远离边缘,其中使此抛光垫(81,101,71,121)具构形,使得:第二区(82,102,72)具复数个开孔(84,75),其中此复数个开孔(84,75)之各开孔:具有约250-1000微米之宽度;或具有大于第一区平均细孔尺寸之约25-1000百分率范围的宽度;或第二平均细孔尺寸大于第一平均细孔尺寸。3.一种抛光半导体基质(13)之方法,其基质具有一中心点及具主要表面大小之主要表面,其中此法之步骤包含:将此基质(13)置于一抛光机内;及以一抛光垫(81,101,71,121),抛光此基质(13),其中此抛光垫(81,101,71,121)包括:一边缘;一包括具有第一平均细孔尺寸的复数个细孔之第一区(83,104,74,123),其中此第一区位于此边缘之近邻;及一包括具有第二平均细孔尺寸的复数个细孔之第二区(82,102,72,122),其中此第二区(82,102,72,122)位于第一区之近邻且较第一区(83,104,74,123)更远离边缘,其中使此抛光垫(81,101,71,121)具构形,使得:第二区(82,102,72)具有复数个开孔(84,75),其中此复数个开孔(84,75)之各开孔:具有约250-1000微米之宽度;或具有大于第一区平均细孔尺寸之约25-1000百分率范围的宽度;或第二平均细孔尺寸大于第一平均细孔尺寸;进行此抛光步骤,使得于抛光步骤期间,基质(13)之中心点一直覆于第二区(82,102,72,122)上;且此抛光步骤包括使半导体基质(13)于跨越一部份之抛光垫(81,101,71,121)上振荡,其中此振荡;涵盖该主要表面大小之约5-50百分率的距离范围之振荡范围;且于每秒约1-10毫米范围之振荡速度下进行。图1及2包括抛光垫及基质之横截面与上视野。图3-4包括一抛光垫及基质之横截面与上视野,其中根据本发明之一具体实例,此抛光垫具大多数之开孔。图5-6包括一抛光垫及基质之横截面与上视野,其中根据本发明之一具体实例,此抛光垫具大多数之开孔。图7包括一抛光垫及基质之横截面与上视野,其中根据本发明之一具体实例,此抛光垫具大多数之开孔。图8-9包括一抛光垫及基质之横截面与上视野,其中根据本发明之一具体实例,此抛光垫 |
