| 主权项 |
1.一种形成薄膜半导体的方法,系将电流通过阳极与阴极,将浴中所含物质电解淀积而成者,其特征在于:藉由一离子交换膜使该阳极与该浴相隔离,如此产生一阳质间和一阴质间;该半导体系由该浴所沈积而成者。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该半导体为ⅡB/VIB化合物。3.如申请专利范围第2项的方法,其中该半导体为含Cd和Te的化合物。4.如申请专利范围第1,2或3项的方法,其中该半导体化合物系经由电解方式淀积在阳极上者。5.如申请专利范围第1项的方法,其中,该阳极为一种消耗性电极。6.如申请专利范围第5项的方法,其中该阳极为镉阳极。7.如申请专利范围第1项的方法,其中,该阳极为一种非消耗性阳极。8.如申请专利范围第7项的方法,其中该阳极为铂或披铂钛电极。9.如申请专利范围第1项的方法,其中该阴极为玻璃板上覆盖透明导电层后再涂CdS层而构成者。10.如申请专利范围第1项的方法,其中该离子交换膜为阳离子交换膜。11.如申请专利范围第1项的方法,其中该离子交换膜为含有全氟磺酸基之聚合物。12.如申请专利范围第11项的方法,其中该聚合物为四氟乙烯与含磺酸根的乙烯基醚共单体之共聚产物。13.如申请专利范围第1项的方法,其中阳质间内的阳质液与阴质间内的阴质液系各自不同的组成者。14.如申请专利范围第13项的方法,其中该阳极为非消耗性电极而其阳质液为稀硫酸水溶液。15.如申请专利范围第13项的方法,其中该阳极为Cd阳极而其阳质液为稀HC1水溶液。16.如申请专利范围第1项的方法,其中阳质间内的阳质液在电淀积程序中系连续地取出并用新的阳质液予以补充者。17.一种光伏电池,包含着一层CdS,一层经由在含有ⅡB和VIB元素离子的浴中通电流于阳极与阳离子之间所淀积成的ⅡB/VIB半导体;其特征在于该ⅡB/VIB半导体是用离子交换性聚合物膜在淀积该半导体所用浴内将阳极隔开 |
