发明名称 Auf einer Halbleiterschicht gebildeter MOS-Feldeffekttransistor auf einem isolierenden Substrat.
摘要
申请公布号 DE68916389(T2) 申请公布日期 1994.11.17
申请号 DE19896016389T 申请日期 1989.12.12
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 YAMAGUCHI, YASUO C/O MITSUBISHI DENKI K.K., HYOGO-KEN, JP;KUSUNOKI, SHIGERU C/O MITSUBISHI DENKI K.K., HYOGO-KEN, JP
分类号 H01L21/84;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/08;H01L29/32;H01L29/417;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/08;H01L29/52;H01L29/784 主分类号 H01L21/84
代理机构 代理人
主权项
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