凹沟型埋入式位元线之唯读记忆体制法

摘要

本发明系关于一种凹沟型埋入式位元线之唯读记忆体制法，尤指一种可降低唯读记忆体于进行离子植入之写码过程中，因写入离子渗入至两侧源泄极区而形成反掺杂效应，造成源泄极区位元线阻抗昇高、电容量不当增加及接面崩溃电压降低之缺陷下，即提供一种可令其埋入位元线向下凹入矽层内一适当深度位置，而使源泄极间形成一ㄇ型通道区，此举即在后续对通道区域进行写码时，该植入之离子即远离源泄极区，藉以避免反掺杂之各项缺点，且纵使写码光罩未准确对正在通道之情况下，亦可达到写码效果，使光罩相关制程实施尤具简使性。

主权项

1.一种凹沟型埋入式位元线之唯读记忆体制法,包括:一在矽层或井区上进行覆光阻及实施位元线光罩作业;一对位元线区域进行沟道蚀刻以形成凹沟之步骤;一对各凹沟位置进行N+源泄极位元线离子植入之步骤,以在各凹沟底面下方形成N+位元线;一去光阻步骤;一闸氧化层之形成步骤;一对各凹沟内底部形成厚气化层之步骤;及-复晶矽沈积及掺杂之步骤;构成一种令各N+位元线为凹陷在矽层内部位置,并使位元线间形成一ㄇ型路径之通道区,使后续进行写码离子植入时,仅令写码离子仅位在通道区之顶部位置而不致与位元线接触者。2.如申请专利范围第1项所述之凹沟型埋入式位元线之唯读记忆体制法,其中该沟道蚀刻步骤之蚀刻深度约在5000左右。3.如申请专利范围第1项所述之凹沟型埋入式位元线之唯读记忆体制法,其中该位元线离子植入之密度及能量范围分别约在2C15C/cmC^2C及50KeV者。4.如申请专利范围第1项所述之凹沟型埋入式位元线之唯读记忆体制法,其中该闸氧化层之形成厚度约在150左右者。5.如申请专利范围第1项所述之凹沟型埋入式位元线之唯读记忆体制法,其中该复晶矽之沈积厚度约在3000左右者。6.如申请专利范围第1项所述之凹沟型埋入式位元线之唯读记忆体制法,其中该复晶矽字元线亦可采用矽化物、矽化钨或矽化钼为之。7.如申请专利范围第1或5项所述之凹沟型埋入式位元线之唯读记忆体制法,其中该于复晶矽沈积作业完成后,更可进行反蚀刻及平坦化步骤者。第一图:系传统埋入式位元线唯读记忆体俯视图。第二图:系传统埋入式位元线唯