| 主权项 |
1.一电路,其提供内部电压给半导体记忆装置,其包括:参考电压产生器,其依据外面电压源来产生一参考电压,该参考电压系恒定且与温度变化无关;比较器,其比较参考电压与回馈电压以提供一中间电压;输出装置,其依据中间电压而提供中间电压给半导体记忆装置;以及电压分配器,其接收内部电压并藉产生回馈电压到比较器上,而依据半导体记忆装置之温度变化来改变内部电压,该回馈电压随温度之变化而改变,该电压分配器包括:一第一P通道金属氧化物半导体电晶体(PMOS),其源极接收内部电压;以及一第二P通道金属氧化物半导体电晶体(PMOS),其汲极及闸极接地,其源极连接到第一金属氧化物半导体电晶体之闸极及汲极而形成一输出节点,以产生回馈电压,该第一金属氧化物半导体电晶体具有之通道电阻値大于第二金属氧化物半导体电晶体的通道电阻値。2.如申请专利项目1所述之电路,其中所述之参考电压产生器包括:电源供应器,以提供外面电源电压给输出节点;以及参考装置,以将输出节点之外面电源电压转换成参考电压,该参考装置包括:一第一电阻器,其一端连接到输出节点;一第一双极性电晶体,其集极及基极共同连接到第一电阻器之另一端,其射极则接地;一第二电阻器,其一端连接到输出节点;一第二双极性电晶体,其集极连接到第二电阻器之另一端,其集极连接到第一双极性电晶体之集极,而其射极则经由一第三电阻器而接地;以及一第三双极性电晶体,其集极连接到输出节点,其基极连接到第一双极性电晶体之集极,而其射极则接地。图1显示习用之内部供电电压产生器;图2显示图1之内部供电电压产生器之输出特性;图3显示图1之参考电压产生器之另一实施例;图4显示本发明之内部供电电压产生器;图5显示图4之内部供电电压产生器之输出特性;图6显示图4之内部供电电压产生器之另一实施例;图7是用来显示MOS电晶体在响应温度之变化时其电流驱动能力之降低 |
