发明名称 光波导之制造方法(一)
摘要 本发明形成光波导之方法中,光波导含石英核心作为主成份,以及包围核心之包覆层之形成系藉火焰水解沈积和玻璃化玻璃微粒层来沈积玻璃微粒。此方法含一种步骤,在将玻璃微粒层形成包覆层时,以过渡步阶或以过渡线形方式增加磷输入量给火焰燃烧器。此步骤中只在第一次有输入磷,在玻璃微粒层之后即不输入磷至火焰燃烧器,因此能抑止接近核心处产生外来物。如本发明之光波导制造方法用在制造核心 132a或包覆层 122 ,142,其以火焰水解沈积包围核心 132a ,其具有之特性为,即在含磷气体微粒层沈积后即玻璃化玻璃微粒层,因此,形成厚度小于10微米之玻璃膜 122a,122b。因此,本发明可抑止不均匀之玻璃膜且特别可使包覆层之磷浓度均匀。其结果,可使传导损耗变小。
申请公布号 TW243500 申请公布日期 1995.03.21
申请号 TW083100171 申请日期 1994.01.11
申请人 住友电气工业股份有限公司 发明人 石川真二;向后隆司;金森弘雄;相川晴彦;浦野章;齐藤真秀;广濑智财
分类号 G02B6/00 主分类号 G02B6/00
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种光波导之制法,包含:以石英为主要成分之下包覆层形成在基材上;以石英为主要成分之核心形成在下包覆层上;以及以石英为主要成分之上包覆层形成在植入核心之下包覆层上;一种程序,以形成下包覆层,其系将含磷气体和含矽气体供应至燃烧器之火焰水解沈积步骤,以含磷石英为主成份之玻璃微粒,由燃烧器将其喷吹,沈积在基材上,而形成下玻璃微粒层;该火焰水解沈积步骤,包含:一种步骤,其含一时间段,其中含磷气体之流量率相对于含矽气体之流量率而增加,含磷气体流量率增加之时段TC_oC与整体玻璃原料输入时段T之比値TC_oC/T为1/3≧TC_oC/T≧1/45之范围内;以及一种加热步骤,而将下玻璃微粒层玻璃化。2.如申请专利范围第1项之光波导制造方法,其中在形成下包覆层之火焰水解沈积步骤中,其含矽气体为SiClC_4C。3.如申请专利范围第1项之光波导制造方法,其中在形成下包覆层之火焰水解沈积步骤中,其含磷气体为POClC_3C。4.如申请专利范围第1项之光波导制造方法,其中在形成下包覆层之火焰水解沈积步骤中,该含磷气体之流量率以过渡步阶函数瞬时增加。5.如申请专利范围第1项之光波导制造方法,其中在形成下包覆层之火焰水解沈积步骤中。该含磷气体之流量率以过渡线形方式增加。6.如申请专利范围第1项之光波导制造方法,其中含磷气体流量率之最小値为零。7.如申请专利范围第1项之光波导制造方法,其中形成核心之程序含:一种火焰水解沈积步骤,以供应含磷气体和含矽气体给燃烧器,自燃烧器喷吹以含磷石英为主成份之玻璃微粒至下包覆层并形成一核心玻璃微粒层;一种玻璃化步骤,该核心玻璃微粒经加热和玻璃化以形成核心层;以及一种石版印刷术步骤,以石版印刷术蚀刻核心层以暴露下包覆层。8.如申请专利范围第7项之光波导制造方法,其中形成上包覆层之程序含:一种火焰水解沈积步骤,以供应含磷气体和含矽气体至燃烧器,从燃烧器喷吹以含磷石英作为主成份之玻璃微粒至核心以将其沈积在核心并形成上玻璃微粒层;以及一种玻璃化步骤,加热和玻璃化上玻璃微粒层。9.如申请专利范围第8项之光波导制造方法,其中形成上包覆层之火焰水解沈积步骤含一时间段,其中含磷气体之流量率相对于含矽气体之流量率而以过渡瞬变方式增加。10.如申请专利范围第9项之光波导制造方法,其中在形成上包覆层之火焰水解沈积步骤中之含矽气体为SiCiC_4C。11.如申请专利范围第9项之光波导制造方法,其中在形成上包覆层之火焰水解沈积步骤中之含磷气体为POClC_3C。12.如申请专利范围第1项之光波导制造方法,其中形成下包覆层和核心之程序含:一种火焰水解沈积步骤,跟着形成下玻璃微粒层之火焰水解沈积步骤之后,供应含磷气体和含矽气体至燃烧器,自燃烧器喷吹以含磷石英为主成份之玻璃微粒,将其沈积在下玻璃微粒层;一种玻璃化步骤,加热和玻璃化下玻璃微粒层和核心玻璃微粒层以形成核心层;以及一种石版印刷术步骤,以石版印刷术蚀刻核心层以暴露下包覆层。13.如申请专利范围第12项之光波导制造方法,其中形成上包覆层之程序含:一种火焰水解沈积步骤,以供应含磷气体和含矽气体至燃烧器,自燃烧器喷吹以含磷石英为主成份之玻璃微粒将其沈积在核心以形成上玻璃微粒层;以及一种玻璃化步骤,加热和玻璃化下玻璃微粒层。14.如申请专利范围第13项之光波导制造方法,其中形成上包覆层之火焰水解沈积步骤含一时间段,其含磷气体之流量率相对于侯含矽气体之流量率而以过渡瞬变方式增加。15.如申请专利范围第14项之光波导制造方法,其中在形成上包覆层之火焰水解沈积步骤中之含矽气体为SiCiC_4C。16.如申请专利范围第14项之光波导制造方法,其中在形成上包覆层之火焰水解沈积步骤中之含磷气体为POClC_3C。图1A.1B,1C,1D和1E为光波导分别在制造步骤中之切面图。图2为第一具体实例中形成下包覆层之原料气体输入量之图表。图3为第一具体实例中形成核心层之原料气体输入量之图表。图4为如第一具体实例之方法所形成之玻璃膜之组成图表。图5为第一具体实例中形成上包覆层之原料气体输入量之图表。图6为第一具体实例所制造之光波导玻璃膜之组成图表。图7为第二具体实例中原料气体输入量之图表。图8为第二具体实例所制造之光波导玻璃膜之组成图表。图9为第二具体实例控制原料输入量之图表。图10为以上控制所制造之光波导玻璃膜之组成图表。图11A,11B,11C和11D为改变POClC_4C输入流量率之型态图表。图12A为制造装置内部构造之透视图,图12B则表示其细部之透视图。图13为解释POClC_4C气体输入系统之
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