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第82106311号申请案申请专利范围修正本修正日期:84年1月1.一种处理半导体晶片的方法,其特征在于包括步骤:将晶片放在一容器中,把含硅气体或蒸汽和一含过氧化物键的化合物以蒸汽形式导入该容器,使该含硅气体或蒸汽与该化合物反应形成一短键聚合物并使该聚合物凝聚在晶片上形成成一基本平坦的层。2.如申请专利范围第1项所述的方法,其中,含硅气体或蒸汽为硅烷或高硅烷。3.如申请专利范围第1或2项所述的方法,其中所述化合物为过氧化氢或乙二醇。4.如申请专利范围第1或2项所述的方法,进一步包括从该层中去除水和/或OH的步骤。5.如申请专利范围第4项所述的方法,其中去水和/或OH的步骤包括将该层置于降低的压力下。6.如申请专利范围第5项所述的方法,其中,将该层置于降低的压力下的时间为1.5-2.5分钟。7.如申请专利范围第4项的方法,其中,去水和/或OH的步骤包括将该晶片至于低功率密度的等离子体中。8.如申请专利范围第7项所述的方法,其中,等离子体将该层加热至40。C-120。C。9.如申请专利范围第1或2项的方法,进一步包括在淀积聚合物层之前形成或淀积一层垫层的步骤。10.如申请专利范围第9项所述的方法,其中该垫层是用化学汽相淀积方法淀积的。11.如申请专利范围第10项所述的方法,其中在淀积垫层之前将该片预热。12.如申请专利范围第1或2项的方法,进一步包括在已从该聚合物层中基本去除所有的水之后在聚合物层上淀积一覆盖层。13.如申请专利范围第12项所述的方法,其中,覆盖层为Sio2。14.如申请专利范围第1或2项的方法,还包括在该覆盖层淀积之后对晶片进行热处理的步骤。15.如申请专利范围第1或2项所述的方法,晶片置于一底板上,该底板温度保持在含硅蒸汽的露点温度或之下。16.如申请专利范围第15项所述的方法,其中,在所有包含或导致晶片加热的工艺步骤中均使晶片升起离开底板。17.如申请专利范围第16项所述的方法,其中,该升起的位置位于底板和装卸晶片的位置之间。18.如申请专利范围第3和申请专利范围第4项中从属于申请专利范围第3项的方法,其中,所述化合物是浓度为45%-55%的H2O2。19.如申请专利范围第18项所述的方法,其中,过氧化氢的浓度为50%。20.如申请专利范围第1或2项中从属于申请专利范围第3的方法,其中,含硅气体或蒸汽和该化合物在化学汽相淀积过程中反应。21.如申请专利范围第20项所述的方法,其中,反应发生在电极之间,且在它们被导入电极之间之前保持分开。22.如申请专利范围第1或2项所述的方法,其中,气体为siH4,化合物为H2O2,且H2O2比Sih4多。23.如申请专利范围第22项所述的方法,其中,H2O2与SiH4的比率为3:1。24.如申请专利范围第1或2项所述的方法,其中,该容器 |
