| 主权项 |
1.一种去除液体界面活性剂所含其蒸气压高于该界面活性剂蒸气压的二氧陆圜杂质之方法,其包括下列步骤:(a)将该含杂质液体界面活性剂从一倾斜导管的上端部份导到该导管之内;(b)将一气体导入该导管,藉此使该气体接触该界面活性剂并将在导管内已挥发出来的该二氧陆圜杂质输送出该导管,因而去除该界面活性剂所含杂质;及(c)将该液体界面活性剂从该导管的下端部份排出。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包括将该被导引到该导管内的气体予以加热藉此将界面活性剂所含二氧陆圜杂质在导管内挥发出来之步骤。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包括加热该导管藉此促使二氧陆圜在导管内挥发出来之步骤。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该气体系相对于液体界面活性剂流动方向呈逆流而导引的。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该气体系与该液体界面活性剂的流动方向一致地被导引的。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该液体界面活性剂为含氟界面活性剂(fluorosurfactant) 。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该气体系不具反应性者。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该气体系选自氮气,氦气,氩气,二氧化碳,甲烷和乙醇等所成组合之中者。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该含氟界面活性剂为全氟聚环氧乙烷。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该含杂质含氟界面活性剂所含二氧陆圜浓度系在约5,000到20,000份每百万份范围之内。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中从该导管排出的含氟界面活性剂所含二氧陆圜浓度低于约5份每百万份。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中在该导管入口处的该含氧界面活性剂温度系在约120到160℃范围之内者。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该导管出口处的温度系在约120到160℃范围之内。14.一种去除液体含氟界面活性剂所含其蒸气压高于该界面活性剂蒸气压的二氧陆圜杂质之方法,其包括下列步骤:(a)将该含杂质液体含氟界面活性剂导经一倾斜导管;(b)将一气体导入该导管,藉此使该气体接触该含氟界面活性剂并将在导管内已挥发出来的该二氧陆圜杂质输送出该导管;及(c)将该液体含氟界面活性剂从该导管排出。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中从该导管排出来的含氟界面活性剂所含二氧陆圜浓度低于约5份每百万份。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中从该导管排出来的含氟界面活性剂所含二氧陆圜浓度低于约一份每百万份。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该含氟界面活性剂为全氟聚环氧乙烷。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该含氟界面活性剂具有Zonyl R FSO-100所具特性。19.一种用以去除液体含氟界面活性剂所含其蒸气压高于界面活性剂蒸气压的二氧陆圜杂质之装置,其包括:(a)一高置的储器,用以储存该含二氧陆圜杂质的液体含氟界面活性剂;(b)一伸长倾斜导管,该倾斜导管具有一上端部份以接收来自该高置储器的含杂质液体界面活性剂流,及一下端部份,以排出去杂质的液体含氟界面活性剂;(c)一热源,用以加热在该倾斜导管内的含杂质液体界面活性剂,其热量足以促使该液体界面活性剂所含二氧陆圜杂质挥发出来,藉此去除该界面活性剂所含该杂质;(d)一气体源,以导引气体经过该倾斜导管将该挥发出来的二氧陆圜送出该导管;及(e)一接受器,以接收从倾斜导管排出来的去杂质液体界面活性剂。20.如申请专利范围第19项所述之装置,其中该伸长倾斜导管为一直管。21.如申请专利范围第19项所述之装置,其中该伸长倾斜导管包含一系列平行装置在热交换器外壳内的直管。22.如申请专利范围第19项所述之装置,其中该伸长倾斜导管系含阶梯者。23.一种用以去除液体界面活性剂所含其蒸气压高于该界面活性剂蒸气压的二氧陆圜杂质之装置,其包括:(a)一高置储器,用以储存该含二氧陆圜杂质的液体界面活性剂;(b)一上伸长倾斜导管,该上倾斜导管具有一上端部份以接收来自该高置储器的含杂质液体界面活性剂流,及一下端部份,用以排出去杂质的液体界面活性剂;(c)一第一热源,用以加热在该上倾斜导管内的含杂质液体界面活性剂,其热量足以促使该液体界面活性剂所含第一份二氧陆圜杂质挥发出来,因而至少去除该界面活性剂所含部份杂质;(d)一中伸长倾斜导管,该中伸长倾斜导管具有一上端部份以接收来自该上伸长倾斜导管的含部份杂质液体界面活性剂流,及一下端部份以排除去杂质的液体界面活性剂;(e)一第一导管连接器,其具有第一狭窄限制段将自上倾斜导管排出来的去杂质液体界面活性剂导引到该中伸长倾斜导管,及一气体旁通器,将该中伸长倾斜导管出来的气体在该第一狭窄限制连接器处分流到上伸长倾斜导管内;(f)一第二热源,以加热在该中伸长倾斜导管内的该部份去除杂质的液体界面活性剂,其热量足以促使该液体界面活性剂所含第二份二氧陆圜杂质挥发出来,藉而进一步去除该界面活性剂所含杂质;(g)一下伸长倾斜导管,该下伸长倾斜导管具有一上端部份以接收来自中倾斜导管的进一步去杂质过之液体界面活性剂,及一下端部份以排除去杂质的液体界面活性剂;(h)一第二导管连接器,其具有一第二狭窄限制段将自中倾斜导管排出来的进一步去杂质过之液体界面活性剂导引到该下伸长倾斜导管,及一气体旁通器,将该下伸长倾斜导管出来的气体在该第二狭窄限制段处分流到中伸长倾斜导管内;(i)一第三热源,以加热在该下倾斜导管内的进一步去杂质过之液体界面活性剂,其热量足以促使该液体界面活性剂所含第三份二氧陆圜杂质挥发出来,藉而更去除掉该界面活性剂所含杂质;(j)一气体源,提供气体以导引经过该下伸长倾斜导管进入中伸长倾斜导管到上伸长倾斜导管而将挥发出来的二氧陆圜从该下伸长倾斜导管,中伸长倾斜导管和上伸长倾斜导管中运送出来;及(k)一接受器,以接收从该下伸长倾斜导管所排出来的更去杂质过之液体界面活性剂。图示简单说明:图1为本发明装置一实施例的纵切侧竖观图。图2为本发明装置另一实施例的纵切侧竖观图。图3为本发明装置第三实施例的纵切侧竖观图。 |
