| 摘要 |
생산성을 향상시킬 수 있는 반도체장치의 제조방법을 얻는다. 표면과 이면이 평탄하게 되어 있는 평탄부와, 평탄부의 외주에 설치된 베벨부를 갖는 Si 기판(1)을 준비한다. Si 기판(1)의 표면 위에 AlGaInN막(2)을 에피택셜 성장시킨다. AlGaInN막(2)을 에피택셜 성장시킨 후에, Si 기판(1)을 이면으로부터 연삭해서 박판화한다. 베벨부의 가공량이 베벨부의 최외부 단부를 경계로 해서 표면측과 이면측에서 비대칭이다. 평탄부의 표면으로부터 최외부 단부까지의 두께는 평탄부의 이면으로부터 최외부 단부까지의 두께보다 얇다. |
