| 摘要 |
본 발명은 전극의 표면적을 증대시키고 많은 양의 발광종이 흡착할 수 있도록 함으로써 종래의 TiO2 전극방식에 비해 훨씬 낮은 전압에서 발광 구현이 가능하고, 발광효율 또한 한층 개선시킨 "산화아연 나노플라워 기반 ECL 소자 제조 방법"에 관한 것이다. 본 발명에 따른 산화아연 나노플라워 기반 ECL 소자 제조 방법은 (a) 제 1 TFO 유리 기판을 세정하는 세정 단계; (b) 에탄올에 0.01 M 농도로 초산아연(Zinc Acetate)을 용해시켜 만든 수용액을 상기 제 1 FTO 유리 기판상에 코팅하는 단계; (c) 상기 제 1 FTO 유리 기판을 130°C에서 1시간, 180°C에서 1시간, 260°C에서 2시간 순차적으로 열처리하는 단계 (e) 상기 제 1 FTO 유리 기판상에 초산아연을 코팅한 후 소정 온도에서 수열합성법을 실시하는 단계; (f) 상기 단계 (e)를 복수회 반복 실시하여 산화아연 나노플라워를 소정 두께로 성장시키는 단계; (g) 상기 산화아연 나노플라워가 형성되어 있는 상기 제 1 FTO 유리 기판상에 액상의 발광 물질 Ru(bpy)을 도포하는 단계; (h) 스페이서가 부착된 제 2 FTO 유리 기판을 상기 제 1 FTO 유리 기판과 합체하여 봉지하는 단계;를 포함하며, 상기 스페이서의 길이는 60㎛ 이고, 상기 산화아연 나노플라워의 상기 소정 두께는 10㎛이고, 상기 제 1 및 제 1 FTO 유리 기판 양단에 인가되는 인가 전압은 주파수가 60H인 2V~3.5V의 교류 전압이며, 상기 교류전압이 3V인 경우, 상기 발광 물질의 발광으로 인한 발광 빛의 세기는 적어도 275cd/㎡ 인 것을 특징으로 한다. |
