发明名称 多层晶片的封装方法及其构造
摘要 一种新颖多层晶片的封装方法及其构造,用以提升积体电路密度,其主要提供一封装模板(template),其具有至少二个垂直配置且互相连通的晶片室(chip chambers)及复数个平行排列且向外延伸的插脚(pins),而每一晶片室均包括一基座环绕在其底部以界定放置晶片的区,复数个导电带(leadframes)位于基座上且连接至对应的插脚,以及一向内凸伸的承接部环绕在其顶部。接着,由下而上依序将晶片黏着于所露出最下层之晶片室的底部,并以导线(wires)连接该晶片的导电区(conductive pad)至对应的导电带,然后覆盖一分隔层在承接部上,用以隔离该晶片室及当作其上一层晶片室的底部。如此,反覆进行黏着晶片、连接导线、及覆盖分隔层的步骤至所有晶片室完成封装为止,即制得一多层晶片封装之积体电路构造。
申请公布号 TW265466 申请公布日期 1995.12.11
申请号 TW084106965 申请日期 1995.07.06
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 徐振聪
分类号 H01L23/28 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1. 一种多层晶片的封装方法,包括下列步骤:(a) 提供一封装模板,其具有至少二个垂直配置且互相连通的晶片室及复数个平行排列且向外延伸的插脚,其中各晶片室均包括一基座环绕在其底部以界定放置晶片的区域,复数个导电带位于该基座上且连接至对应的插脚,以及一向内凸伸的承接部环绕在顶部;(b) 在所露出最下层之晶片室的底部黏着一晶片,使位于该基座的中间;(c) 形成导线以连接该晶片的导电区至对应的导电带;(d) 覆盖一分隔层在该承接部上,用以隔离该黏着有晶片的晶片室并当作其上一层晶片室的底部;(e) 反覆进行步骤(b)至步骤(d),直至所有晶片室均完成封装晶片为止。2. 如申请专利范围第1项所述的方法,其中步骤(a)该封装模板的材质是一陶瓷材料。3. 如申请专利范围第1项所述的方法,其中步骤(a)该封装模板的材质是一塑胶材料。4. 如申请专利范围第1项所述的方法,其中步骤(b)该晶片系以银胶黏着于该晶片室的底部。5. 如申请专利范围第1项所述的方法,其中步骤(b)该晶片系以铝矽熔合方式黏着于该晶片室的底部。6.如申请专利范围第1项所述的方法,其中步骤(c)该导线系金线。7. 如申请专利范围第1项所述的方法,其中步骤(c)该导线系铝线。8. 如申请专利范围第1项所述的方法,其中步骤(d)该分隔层系一金属盖。9. 一种多层晶片封装之积体电路构造,其包括:一封装横板,其具有至少二个垂直配置且互相连通的晶片室及复数个平行排列且向外延伸的插脚,每一晶片室包括有:一基座环绕在该晶片室底部以界定放置晶片的区域;复数个导电带位于该基座上且连接至对应的插脚;以及一向内凸伸的承接部环绕在该晶片室顶部;至少二个晶片,分别黏着于每一晶片室的底部且位于该基座的中间;导线,用以连接该些晶片的导电区与对应的带电带;以及至少二个分隔层,分别覆盖在每一晶片室的承接部上,用以隔离各晶片室。10. 如申请专利范围第9项所述的构造,其中该封装模板的材质是一陶瓷材料。11. 如申请专利范围第9项所述的构造,其中该封装模板的材质是一塑胶材料。12. 如申请专利范围第9项所述的构造,其中该导线系金线。13. 如申请专利范围第9项所述的构造,其中该导线系铝线。14. 如申请专利范围第9项所述的构造,其中该分隔层系一金属盖。图示简单说明:第1图系根据本发明一较佳实施例之多层晶片封装积体电路构造的剖面示意图;以及第2A至2D图系底视图,绘示根据本发明方法一较佳实施例
地址 新竹科学工业园区工业东三路三号