| 发明名称 |
Method of removing electric charge accumulated on a semiconductor substrate in ion implantation |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0424925(B1) |
申请公布日期 |
1995.12.13 |
| 申请号 |
EP19900120432 |
申请日期 |
1990.10.24 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
YOSHIDA, YUKIMASA;OKUMURA, KATSUYA |
| 分类号 |
H01J37/02;H01J37/317;H01L21/265;(IPC1-7):H01L21/265 |
主分类号 |
H01J37/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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