| 主权项 |
1. 一种高压CMOS电晶体的制造方法,适用于一第一型半导体基板分别制造第一型MOS电晶体及第二型MOS电晶体,而上述高压CMOS电晶体的制造方法包括下列步骤:于上述第一型半导体基板的既定位置分别形成一第二型井区以及二第二型淡掺植区;于上述第二型井区的既定位置形成二第一型淡掺植区;于上述半导体基板上之欲形成上述第一型及第二型MOS电晶体的汲极、源极以及闸极分别形成遮蔽物;以上述遮蔽物为罩幕,分别掺植为第一型杂质及第二型杂质至欲形成上述闸极与源极、汲极之间的上述第一型淡掺植区及第二型淡掺植区,以分别形成第一型漂移区及第二型漂移区;以上述遮蔽物为罩幕施行氧化,而形成场区氧化物;去除上述遮蔽物;于上述第一型淡掺植区之间以及第二型淡掺植区之间而在上述场区氧化物之间的第二型井区及第一型半导体基板上分别形成闸极氧化物;于上述闸极氧化物上形成导电层,且上述导电层跨于上述场区氧化物之间,以分别形成上述闸极;以及以上述场区氧化物及闸极为罩幕分别掺植第一型杂质及第二型杂质至上述第一型淡掺植区及第二型淡掺植区,而分别形成上述第一型及第二型的汲极区和源极区。2. 如申请专利范围第1项所述之高压CMOS电晶体的制造方法,其中,上述遮蔽物为氧化物及氦化物所构成。3.如申请专利范围第2项所述之高压CMOS电晶体的制造方法,其中,上述闸极为复晶矽。4. 如申请专利范围第3项所述之高压CMOS电晶体的制造方法,其中,上述第一型为N型,而上述第二型为P型。5.如申请专利范围第3项所述之高压CMOS电晶体的制造方法,其中,上述第一型为P型,而上述第二型为N型。图示简单说明:第1图(a)至(f)系显示用以说明依据本发明来制造CMOS电晶体中之NMOS电晶体的剖面图;以及第2图(a)至(f)系显示用以说明依据本发明来制造CMOS电 |
