LATERAL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR,申请号JP19940159719-传众专利搜索

发明名称	LATERAL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR
摘要
申请公布号	JPH0832059(A)	申请公布日期	1996.02.02
申请号	JP19940159719	申请日期	1994.07.12
申请人	FUJI ELECTRIC CO LTD	发明人	SUMIDA HITOSHI
分类号	H01L21/8222;H01L21/8248;H01L27/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/822	主分类号	H01L21/8222
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