| 主权项 |
1.一种半导体装置,利用形成在具有绝缘表面之基底上的薄膜矽半导体,其中薄膜矽半导体具有可视为单晶的区域,区域构成至少部分的活性层,区域含有110@su1@su6cm@su-@su3至510@su1@su8cm@su-@su3浓度的碳和氮原子,110@su1@su7cm@su-@su3至510@su1@su9cm@su-@su3浓度的氧原子,110@su1@su7cm@su-@su3至510@su2@su0cm@su-@su3浓度之中和矽之未成对键的氢原子。2.如申请专利范围第1项的装置,其中具有可视为单晶之结晶构造的区域含有选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Zn、Ag、Au之促进矽结晶的一种以上金属元素。3.如申请专利范围第1项的装置,其中具有可视为单晶之结晶构造的区域含有选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Zn、Ag、Au之促进矽结晶之110@su1@su6至510@su1@su9cm@su-@su3浓度的一种以上金属元素。4.一种半导体装置,利用形成在具有绝缘表面之基底上的薄膜矽半导体,其中薄膜矽半导体具有可视为单晶的区域,区域构成至少部分的活性层,区域含有110@su1@su6cm@su-@su3至510@su1@su8cm@su-@su3浓度的碳和氮原子,110@su1@su7cm@su-@su3至510@su1@su9cm@su-@su3浓度的氧原子。5.如申请专利范围第4项的装置,其中具有可视为单晶之结晶构造的区域含有选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Zn、Ag、Au之促进矽结晶的一种以上金属元素。6.如申请专利范围第4项的装置,其中具有可视为单晶之结晶构造的区域含有选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Zn、Ag、Au之促进矽结晶之110@su1@su6至510@su1@su9cm@su-@su3浓度的一种以上金属元素。7.一种半导体装置,利用形成在具有绝缘表面之基底上的薄膜矽半导体,其中薄膜矽半导体具有可视为单晶的区域,区域构成至少部分的活性层,区域含有110@su1@su7cm@su-@su3至510@su2@su0cm@su-@su3浓度之中和矽之未成对键的氢原子。8.如申请专利范围第7项的装置,其中具有可视为单晶之结晶构造的区域含有选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Zn、Ag、Au之促进矽结晶的一种以上金属元素。9.如申请专利范围第7项的装置,其中具有可视为单晶之结晶构造的区域含有选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Zn、Ag、Au之促进矽结晶之110@su1@su6至510@su1@su9cm@su-@su3浓度的一种以上金属元素。10.一种半导体装置,利用形成在具有绝缘表面之基底上的薄膜矽半导体,其中薄膜矽半导体具有可视为单晶的区域,区域构成至少部分的活性层,区域含有110@su1@su6cm@su-@su3至510@su1@su8cm@su-@su3浓度的碳和氮原子,110@su1@su7cm@su-@su3至510@su1@su9cm@su-@su3浓度的氧原子,110@su1@su7cm@su-@su3至510@su2@su0cm@su-@su3浓度之中和矽之未成对键的氢原子,薄膜矽半导体厚度平均是200至2000@fc(1.frch)8。11.如申请专利范围第10项的装置,其中具有可视为单晶之结晶构造的区域含有选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Zn、Ag、Au之促进矽结晶的一种以上金属元素。12.如申请专利范围第10项的装置,其中具有可视为单晶之结晶构造的区域含有选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Zn、Ag、Au之促进矽结晶之110@su1@su6至510@su1@su9cm@su-@su3浓度的一种以上金属元素。13.一种半导体装置,利用形成在具有绝缘表面之基底上的薄膜矽半导体,其中具有可视为单晶之结晶构造之薄膜矽半导体的区域至少构成通道形成区,通道形成区含有110@su1@su6cm@su-@su3至510@su1@su8cm@su-@su3浓度的碳和氮原子,110@su1@su7cm@su-@su3至510@su1@su9cm@su-@su3浓度的氧原子,110@su1@su7cm@su-@su3至510@su2@su0cm@su-@su3浓度之中和矽之未成对键的氢原子。14.如申请专利范围第13项的装置,其中具有可视为单晶之结晶构造的区域含有选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Zn、Ag、Au之促进矽结晶的一种以上金属元素。15.如申请专利范围第13项的装置,其中具有可视为单晶之结晶构造的区域含有选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Zn、Ag、Au之促进矽结晶之110@su1@su6至510@su1@su9cm@su-@su3浓度的一种以上金属元素。16.一种制造半导体装置的方法,包括下列步骤:以雷射光照射形成在具有绝缘表面之基底上的矽薄膜,形成可视为单晶的区域,其中在样本加热到450℃至750℃温度的状态进行上述雷射光照射。17.一种半导体装置,具有多个薄膜电晶体并联的构造,每一薄膜电晶体具有在通道形成区内没有晶粒边界的构造,通道形成区含有110@su1@su6cm@su-@su3至510@su1@su8cm@su-@su3浓度的碳和氮原子,110@su1@su7cm@su-@su3至510@su1@su9cm@su1@su3浓度的氧原子,110@su1@su7cm@su-@su3至510@su2@su0cm@su-@su3浓度之中和矽之未成对键的氢原子。18.一种半导体装置,具有多个薄膜电晶体并联的构造,每一薄膜电晶体具有在通道形成区内没有晶粒边界的构造,通道形成区厚度是200至2000@fc(1.frch)8,通道形成区含有110@su1@su6cm@su-@su3至510@su1@su8cm@su-@su3浓度的碳和氮原子,110@su1@su7cm@su-@su3至510@su1@su9cm@su-@su3浓度的氧原子,110@su1@su7cm@su-@su3至510@su2@su0cm@su-@su3浓度之中和矽之未成对键的氢原子。19.一种半导体装置,具有多个薄膜电晶体并联的构造,每一薄膜电晶体由通道形成区可视为单晶的薄膜矽半导体构成。20.一种半导体装置,具有多个薄膜电晶体并联的构造,每一薄膜电晶体具有在通道形成区内没有晶粒边界的构造。图示简单说明:图1(A)至1(D)显示薄膜电晶体之实施例的制造步骤。图2(A)至2(D)显示薄膜电晶体之实施例的制造步骤。图3显示薄膜电晶体之实施例的构造。图4显示加热样本之温度变化之情形之雷射光照射能量密度与拉曼强度的关系。图5显示加热样本之温度变化之情形之雷射光照射能量密度与拉曼频谱半値全宽的关系。图6显示集积在单一基底上之液晶光电装置的例子。图7显示拉曼频谱的例子。 |
