| 主权项 |
1. 一种制造金属氧化物溅射靶的装置,系包含:一石墨模头组件,其系形成一模腔用以将粉末金属氧化物靶起始材料热冲压成为金属氧化物溅射靶;及,一阻挡套,其系作为该石墨模头组件之模腔的衬里且系设于该石墨模头组件和粉末金属氧化物靶起始材料之间的阻体,藉此,该阻挡套实质上可使还原气体避免穿过粉末金属氧化物靶起始材料,在热冲压时,该阻挡套实质上不与粉末靶起始材料进行反应,且于热冲压时该粉末靶起始材料为挥发且热不安定者。2. 根据申请专利范围第1项之装置,其中该阻挡套为陶磁套。3. 根据申请专利范围第2项之装置,其中该阻挡套系由选自Al@ss2O@ss3.MgO、Z@ssrO@ss2.SiC及SiN所构成之群的材料所制成。4. 根据申请专利范围第1项之装置,其中该陶磁套具有约0.1"-0.5"之范围的厚度。5. 根据申请专利范围第2项之装置,其中该模腔具有圆形截面以便形成一具有圆形截面之溅射靶。6. 根据申请专利范围第5项之装置,其中该阻挡套包含一圆筒环状构件及两个辅助阻挡端板。7. 根据申请专利范围第6项之装置,其中该环状构件系由第一陶磁材料制成,且该阻挡端板系由第二陶磁材料制成。8. 根据申请专利范围第1项之装置,更包含:具有一第1表面及一外边缘之气体释放装置,该第1表面系藉复数通道连接该外边缘,该气体释放装置系置于该模腔与第1表面之间并背对粉末金属氧化物靶起始材料。9. 根据申请专利范围第8项之装置,该气体释放装置系置于该粉末靶起始材料与阻挡套之间的模腔内。10.根据申请专利范围第9项之装置,其中该第1表面面对阻挡套。11. 一种制造金属氧化物溅射靶之方法,系包含如下之步骤:提供一形成模腔之石墨模头组件并以阻挡套作为模腔之衬里;将粉末金属氧化物溅射靶起始材料装填入该模腔,以使该粉末起始材料实质上被阻挡套完全包围;及,于石墨模头组件内以高温热冲压粉末金属氧化物溅射靶起始材料以生成金属氧化物靶坯,其中,靶起始材料在高温下为挥发且热不安定者,又,于热冲压步骤时,阻挡套实质上可使还原气体避免穿过靶起始材料。12. 根据申请专利范围第11项之方法,该靶起始材料包括氧化铟及氧化锡。13. 根据申请专利范围第12项之方法,该靶起始材料包括In@ss2O@ss3及SnO@ss2之粒子。14. 根据申请专利范围第13项之方法,该靶起始材料包含:约5—15重量%之SnO@ss2,及其余实质上全部为In@ss2O@ss3。15. 根据申请专利范围第11项之方法,该阻挡套系由选自Al@ss2O@ss3.MgO、Z@ssrO@ss2.SiC及SiN及其等之组合所构成的陶磁所制成。16. 根据申请专利范围第15项之方法,该阻挡套具有约0.1"-0.5"范围之厚度。17. 根据申请专利范围第11项之方法,更包含:将一具有第1表面、外边缘及复数通道之气体释放装置安置于该模腔内,以使该第1表面于热冲压操作期间面对该阻挡套;而上述通道系连络第1表面与该外边缘。18. 根据申请专利范围第11项之方法,更包含:于将该粉末靶起始材料装填入该模腔之前,加热处理该材料,以局部还原该粉末而不会使该粉末实质上被结合在一起。19. 根据申请专利范围第18项之方法,其中该加热处理步骤系于局部还原气氛下实施。图示简单说明:图1系依本发明之石墨模头组件(包括阻挡套并填充粉末靶起始材料)的概略截面图。图2系沿图1之线2—2的横截面图。图3系石墨模头组件(包括阻挡套及填充粉末靶起始材粉)之另一实施态样的概略截面图。图4系沿图3之线4—4的横截面图。图5系依本发明之气体释放装置的底面图。图5A系沿图5之线5A—5A的放大横截面图。图6系依本发明之原理于热冲压前热处理本发明粉末靶起始材料之装置的概略截面图。图7系依本发明之原理生成代表性之ITO溅射靶,热冲压操 |
