| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括：衬底；第一有源区，位于衬底上方；第二有源区，位于衬底上方；石墨烯沟道，位于第一有源区和第二有源区之间；以及第一面内栅极。在一些实施例中，石墨烯沟道、第一面内栅极、第一有源区和第二有源区包括石墨烯。本发明还提供了由单个石墨烯层形成第一面内栅极、第一有源区、第二有源区和石墨烯沟道的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106206680A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201510245423.4 | 申请日期 | 2015.05.14 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司;林时彦 | 发明人 | 林孟佑;林时彦;李嗣涔 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；第一有源区，位于所述衬底上方；第二有源区，位于所述衬底上方；石墨烯沟道，位于所述第一有源区和所述第二有源区之间，所述石墨烯沟道具有第一侧和第二侧；以及第一面内栅极，接近所述第一侧。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||