三维垂直栅极半导体结构与半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维垂直栅极半导体结构与半导体元件及其制造方法，该方法包括下列步骤：提供基板；形成多个层于基板之上，这些层包括交替的第一绝缘材料层及第二绝缘材料层；确认形成位线及字线的位置；在已确认的位线位置及字线位置之外，移除层的至少一部分，被移除的各部分是延伸穿透层至基板的至少一顶面；形成垂直的第一绝缘材料结构于被移除的部分中；进行等向刻蚀工艺，以由第二绝缘材料层移除第二绝缘材料；在已确认的位线位置中的第二绝缘材料层中形成位线；在已确认的字线位置中形成字线。

主权项

一种三维垂直栅极半导体结构的制造方法，该方法包括：提供一基板；形成多个层于该基板之上，这些层具有交替的多个第一绝缘材料层及多个第二绝缘材料层，这些第一绝缘材料层及这些第二绝缘材料层分别通过沉积一第一绝缘材料及一第二绝缘材料所形成；确认用以形成多个位线及多个字线的多个位线位置及多个字线位置；在已确认的这些位线位置及这些字线位置之外，移除这些层的至少一部分，被移除的各该部分是延伸穿透这些层至该基板的至少一顶面；形成多个垂直的第一绝缘材料结构于被移除的这些部分中；进行一等向刻蚀工艺，以由这些第二绝缘材料层移除该第二绝缘材料；在已确认的这些位线位置之中的该第二绝缘材料层中形成这些位线；以及在已确认的这些字线位置之中形成这些字线；其中这些垂直的第一绝缘材料结构是可用以提供支撑于剩余的这些第一绝缘材料层，剩余的这些第一绝缘材料层是在由这些第二绝缘材料层移除该第二绝缘材料之后所剩余。