SECO PROCESS

摘要

Die Erfindung betrifft ein Tunneleffekt-Bauelement bestehend aus mindestens zwei durch einen gerichteten Auftragungsprozess auf einem Substrat (1) ausgebildeten leitfähigen Bereichen (3a, 3b) und einem räumlich dazwischen angeordneten eine Tunnelbarriere bildenden isolierenden Bereich (2), wobei der dadurch ausgebildete mindestens eine Tunnelkontakt einen Tunnelwiderstand aufweist, der sehr viel grösser ist als der Quantenwiderstand Rq = h/e<2>. Zur Ausbildung eines Bauelementes, welches auch bei technisch realisierbaren Temperaturen das gewünschte Einzelelektronenverhalten zeigt und gleichwohl mit vertretbarem Herstellungsaufwand realisierbar ist, ist vorgesehen, dass auf einen auf der Oberfläche eines Substrats (1) ausgebildeten nichtleitenden Bereich (2) die Aufbringung einer leitfähigen Schicht (3) erfolgt, wobei mindestens zwei in Auftragungsrichtung zueinander versetzte leitfähige Teilbereiche (3a, 3b) ausgebildet werden, die durch einen im wesentlichen in Aufbringungsrichtung verlaufenden vom leitfähigen Aufbringungsmaterial ausgesparten Abschnitt (2a) gegeneinander isoliert sind.