Verfahren zur Analyse von Metallverunreinigungen in dem oberflächigen Oxidfilm eines Halbleitersubstrats,申请号DE19916019365-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Analyse von Metallverunreinigungen in dem oberflächigen Oxidfilm eines Halbleitersubstrats
摘要
申请公布号	DE69119365(D1)	申请公布日期	1996.06.13
申请号	DE19916019365	申请日期	1991.11.26
申请人	SEIKO EPSON CORP., TOKIO/TOKYO, JP	发明人	KATO, JURI, SUWA-SHI, NAGANO-KEN, JP
分类号	G01R31/26;G01N33/20;H01L21/66;(IPC1-7):G01N33/20;G01N21/88;G01R31/312	主分类号	G01R31/26
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