| 主权项 |
1. 一种高电压产生器,系由多数级且相串联之电压增益单元所组成,其中该等电压增益单元包括有:一输入电压增益单元,包括有一与电压源连接之第一输入端、一第一输出端及二相并连之第一电晶体及第二电晶体,其中该第一电晶体之汲极与第二电晶体之汲极连接且与该第一输入端连接,第一电晶体之源极与第二电晶体之源极连接且与该第一输出端连接,该第一电晶体之源极与闸极相连接;多数级串接电压增益单元,每一级串接电压增益单元包括有一第三电晶体及分别与该第三电晶体之汲极、源极连接之第二输入端、第二输出端,且上述输入电压增益单元之第二电晶体之闸极与紧连接之串接增益单元之第二输出端相连接,及每一级串接电压增益单元之第三电晶体之闸极与下一级之第三电晶体之第二输出端连接;一输出电压增益单元,包括一第四电晶体及分别与该第四电晶体之汲极、源极连接之第三输入端、一与高电压输出端连接之第三输出端,其中该第四电晶体之汲极与闸极相连接,该第三输入端与上述最后一级之串接电压增益单元之第二输出端连接,且最后一级之串接电压增益单元之闸极与该第三输出端连接;及上述该等电压增益单元之奇数级之输出端更分别藉由一电容器与一第一时脉信号连接、偶数级之输出端更分别藉由一电容器与一第二时脉信号连接,藉由该第一时脉信号与该第二时脉信号交替激励,将电压源之电压逐级升高至高电压输出端递送输出。2. 如申请专利范围第1项所述之高电压产生器,其中每一级之串接电压增益单元更包括有一与该第三电晶体并连之第五电晶体,其中该第三电晶体之汲极、源极分别与该第五电晶体之汲极、源极连接,且该第五电晶体之汲极与其闸极连接。3. 如申请专利范围第1项所述之高电压产生器,其中该第一时脉信号与该第二时脉信号系为非重叠时脉。4. 如申请专利范围第1项所述之高电压产生器,其中该第一时脉信号与该第二时脉信号之最高电压値与该电压源之电压値相同。5. 如申请专利范围第1项所述之高电压产生器,其中每一级之电压增益单元更包括有一第六电晶体及一第七电晶体;该输入电压增益单元之第二电晶体之汲极与该第七电晶体之源极连接,该第二电晶体之闸极与该第六电晶体之汲极、该第七电晶体之汲极连接,该第二电晶体之源极与该第六电晶体之闸极、该第七电晶体之闸极连接,该第七电晶体之源极与紧邻之串接电压增益单元之第二输出端连接;每一串接电压增益单元之第三电晶体之汲极与该第六电晶体之源极连接,该第三电晶体之闸极与该第六电晶体之汲极、该第七电晶体之汲极连接,该第三电晶体之源极与该第六电晶体之闸极、该第七电晶体之闸极连接,该第七电晶体之源极与下一级串接电压增益单元之第二输出端连接,且最后一级串接电压增益单元之第七电晶体之源极与该输出电压增益单元之高电压输出端连接。6. 如申请专利范围第1项所述之高电压产生器,其中该第六电晶体系为一N-型金氧半(NMOS)电晶体,该第七电晶体系为一P-型金氧半(PMOS)电晶体。7. 如申请专利范围第2项所述之高电压产生器,其中每一级之电压增益单元更包括有一第六电晶体及一第七电晶体;该输入电压增益单元之第二电晶体之汲极与该第六电晶体之源极连接,该第二电晶体之闸极与该第六电晶体之汲极、该第七电晶体之汲极连接,该第二电晶体之源极与该第六电晶体之闸极、该第七电晶体之闸极连接,该第七电晶体之源极与紧邻之串接电压增益单元之第二输出端连接;每一串接电压增益单元之第三电晶体之汲极与该第六电晶体之源极连接,该第三电晶体之闸极与该第六电晶体之汲极、该第七电晶体之汲极连接,该第三电晶体之源极与该第六电晶体之闸极、该第七电晶体之闸极连接,该第七电晶体之源极与下一级串接电压增益单元之第二输出端连接,且最后一级串接电压增益单元之第七电晶体之源极与该输出电压增益单元之第三输出端连接。8. 如申请专利范围第2项所述之高电压产生器,其中该第六电晶体系为一N-型金氧半(NMOS)电晶体,该第七电晶体系为一P-型金氧半(PMOS)电晶体。图示简单说明:第一图系一种习知高电压产生器之电路图及时脉图。第二图系另一种习知高电压产生器之电路图及时脉图。第三图系本发明之第一较佳实施例之电路图。第四图系使用于本发明之第一时脉及第二时脉之时脉图。第五图系本发明之第二较佳实施例之电路图。第六图系本发明之第三较佳实施例之电路图。第七图系本发明之第四较佳实施例之电路图。第八图系本发明之第一较佳实施与第一图之高电压产生器之电压-时间关系图。第九图系本发明之第三较佳实施与第二图之高电压产生器之电压-时间关系图。第十图系本发明之第一较佳实施与第三较佳实施例生器之 |
