| 主权项 |
2.根据申请专利范围第1项之半导体膜之制造方法:前述步骤(b)之后,更包含对前述结晶性半导体膜照射高能量光之步骤(d)。3.根据申请专利范围第1项之半导体膜之制造方法,更包含除去前述氧化半导体膜的步骤。4.根据申请专利范围第2项之半导体膜之制造方法,更包含除去前述氧化半导体膜之步骤。5.根据申请专利范围第1.2.3或4项之半导体膜的制造方法,前述步骤(b)系将一可助长前述非晶质半导体膜结晶化之物质从其表面全体导入前述非晶质半导体膜。6.根据申请专利范围第1.2.3或4项之半导体膜的制造方法,前述结晶性半导体膜之结晶成长方向对前述基板实质上呈平行。7.根据申请专利范围第1.2.3或4项之半导体膜的制造方法,前述步骤(d)系至少于含有氧或水蒸气之气氛中加热前述结晶性半导体膜。8.根据申请专利范围第7项之半导体膜之制造方法,前述气氛系更含有一种选自硝酸气体、卤素、卤化氢所构成之群。9.根据申请专利范围第8项之半导体膜之制造方法,于前述气氛中、650℃以下之温度下加热前述结晶性半导体膜。10.根据申请专利范围第7项之半导体膜之制造方法,前述气氛系保持于25气压左右。11.根据申请专利范围第7项之半导体膜之制造方法,前述气氛为电浆状态。12.根据申请专利范围第7项之半导体膜之制造方法,前述结晶性半导体膜更被紫外线照射。13.根据申请专利范围第1.2.3或4项之半导体膜之制造方法,前述步骤(d)系于一含有一种选自硫酸离子、硝酸离子、亚硝酸离子、过锰酸离子、铬酸离子、氯离子、次亚氯酸离子所构成之群的溶液中曝露前述结晶性半导体膜的表面。14.根据申请专利范围第1.2.3或4项之半导体膜之制造方法,可助长前述结晶化之物质乃含有一种选自Ni、Co、Pd、Pt、Fe、Cu、Ag、Au、In、Sn、P、As及Sb所构成之群。15.一种半导体装置之制造方法,系包含:(a)于表面具有绝缘性之基板上形成非晶质半导体膜的步骤;(b)将可助长该非晶质半导体膜结晶化之物质导入该非晶质半导体膜之至少一部分区域的步骤;(c)藉由加热该非晶质半导体膜使之结晶化,而从该非晶质半导体膜得到结晶性半导体膜的步骤;(d)使该结晶性半导体膜的表面氧化,于该结晶性半导体膜的表面形成一含有可助长该结晶化之物质的一部分之氧化半导体膜的步骤;(e)于结晶性半导体膜中设置半导体元件区域的步骤。16.根据申请专利范围第15项之半导体装置之制造方法,前述步骤(d)后,更包含对前述结晶性半导体膜照射高能量光之步骤。17.根据申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,更包含除去前述氧化半导体膜之步骤。18.根据申请专利范围第16项之半导体装置之制造方法,更包含除去前述氧化半导体膜之步骤。19.根据申请专利范围第15.16.17或18项之半导体膜之制造方法,前述结晶性半导体膜的结晶成长方向对前述基板实质上呈平行。20.根据申请专利范围第15.16.17或18项之半导体膜之制造方法,于前述半导体元件区域中,前述结晶性半导体膜中之载体移动方向实质上系与前述结晶性半导体膜之结晶成长方向呈平行。21.根据申请专利范围第15.16.17或18项之半导体装置之制造方法,于前述半导体元件区域中,前述结晶性半导体膜中之载体移动方向实质上与前述结晶性半导体膜之结晶成长方向呈垂直。22.根据申请专利范围第15.16.17或18项之半导体装置之制造方法,前述半导体装置于半导体元件区域更具有半导体元件区域,且至少该通道系设于前述一部分区域以外之前述结晶性半导体膜中。23.根据申请专利范围第15.16.17或18项之半导体装置之制造方法,前述步骤(b)系将一可助长前述非晶质半导体膜结晶化之物质从其表面导入前述非晶质半导体膜。24.根据申请专利范围第15.16.17或18项之半导体装置之制造方法,前述步骤(d)系至少于含有氧气或水蒸气之气氛中加热前述结晶性半导体膜。25.根据申请专利范围第24项之半导体装置之制造方法,前述气氛更含有一种选自硝酸气体、卤素、卤化氢所构成之群。26.根据申请专利范围第25项之半导体装置之制造方法,于前述气氛中、650℃以下之温度加热前述结晶性半导体膜。27.根据申请专利范围第26项之半导体装置之制造方法,前述气氛系保持于25气压左右。28.根据申请专利范围第24项之半导体装置之制造方法,前述气氛为电浆状态。29.根据申请专利范围第24项之半导体装置之制造方法,前述结晶性半导体膜更被紫外线照射。30.根据申请专利范围第15.16.17或18项之半导体装置之制造方法,前述步骤(d)系于含有一种选自硫酸离子、硝酸离子、亚硝酸离子、过锰酸离子、铬酸离子、氯离子、次亚氯酸离子所构成之群的溶液中曝露前述结晶性半导体膜的表面。31.根据申请专利范围第15.16.17或18项之半导体装置之制造方法,可助长前述结晶化之物质乃含有一种选自Ni、Co、Pd、Pt、Fe、Cu、Ag、Au、In、Sn、P、As及Sb所构成之群。图示简单说明:图1至图14系说明本发明第1实施例之薄膜电晶体的制造方法之断面图。图15系表示以第1实施例所制造之薄膜电晶体的配置之平面图。图16系表示以第1实施例所制造之薄膜电晶体的其他配置之平面图。图17A至图17D系说明本发明第2实施例之半导体膜的制造方法之断面图。图18A至图18D系说明本发明第3实施例之半导体膜的制造方法之断面图。图19A至图19F系说明本发明第4实施例之半导体膜的制造方法之断面图。图20A至图20F系说明本发明第5实施例之半导体膜的制造方法之断面图。图21系表示以第6实施例所制造之薄膜电晶体的配置之平面图。图22系表示以第6实施例所制造之薄膜电晶体的其他配置 |
