发明名称 以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程
摘要 本发明系提供一种以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD 制程,其步骤包括有:提供一具有多数个成列之第一光感应元件、第二光感应元件、第三光感应元件及数个金属焊垫区影像感应基材;在该影像感应元件基材上涂上一层第一涂覆层使其平坦化;在该第一涂覆层上涂布一层第一彩色滤光膜颜料,复以第一光罩及经曝光、显影、烘烤定对第一彩色滤光图样,且该第一彩色滤光膜图样系对应于该第一光感应元件;重复上一步骤依序以第二彩色滤光膜颜料、第三彩色滤光膜颜料及第二光罩、第三光罩定义出第二彩色滤光膜图样及第三彩色滤光膜图样,并分别对应该第二光感应元件及第三光感应元件;涂覆一层第二涂覆层,并以金属溅镀法在该第二涂覆层之表面溅镀一层铝罩幕层,复在该铝罩幕层上覆盖第一光阻剂层;利用第四光罩经曝光、显影以去除该金属焊垫区上方之第一光阻剂层,而后移开该第一光罩,复蚀刻去除该焊垫区上方之第二涂覆层、铝罩幕层及第一涂覆层;覆盖一第二光阻剂;经一第五光罩经曝光、显影去除非位于焊垫区上方的第二光阻剂,复蚀刻去除未具有第二光阻剂之铝罩幕层;再去除覆盖在焊垫区上方的第二光阻剂;藉由以上之制程步骤及完成彩色CCD 之制造。
申请公布号 TW279274 申请公布日期 1996.06.21
申请号 TW083111525 申请日期 1994.12.10
申请人 华隆微电子股份有限公司 发明人 吴亮中;杨显捷;詹尚堂
分类号 H01L31/14 主分类号 H01L31/14
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼之三;康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 2. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中该影像感应基材系为一灰阶CCD,且该第一感应元件、该第二感应元件及该第三感应元件系为相同之光感应元件。3. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中在以第一光罩及经曝光、显影、烘烤定义出第一彩色滤光膜图样步骤中,经过烘烤之第一彩色滤光膜即会定型,使得后续的第二彩色滤光膜及第三彩色滤光膜成型步骤中,不会对先前成形之彩色滤光膜产生破坏。4. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中该第一彩色滤光膜颜料、第二彩色滤光膜颜料及第三彩色滤光膜颜料分别为红色彩色滤光膜颜料、绿色彩色滤光膜颜料及蓝色彩色滤光膜颜料。5. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中该第一涂覆层为高分子聚合树脂。6. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中该第二涂覆层系为一薄透明树脂。7. 如申请专利范围第6项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中该一薄透明树脂约为0.1m。8. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中该第一光阻剂及第二光阻剂系为正光阻剂。9. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中在蚀刻铝金属罩幕系以乾蚀刻法达成。10. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中蚀刻去除未具有第二光阻剂之铝罩幕层后在该焊垫区之两侧分别留有之一铝金属片更可以去除。图示简单说明:第一图系本发明较佳实施例之俯视示意图。
地址 新竹巿科学园区研发四路一号