主权项 |
2. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中该影像感应基材系为一灰阶CCD,且该第一感应元件、该第二感应元件及该第三感应元件系为相同之光感应元件。3. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中在以第一光罩及经曝光、显影、烘烤定义出第一彩色滤光膜图样步骤中,经过烘烤之第一彩色滤光膜即会定型,使得后续的第二彩色滤光膜及第三彩色滤光膜成型步骤中,不会对先前成形之彩色滤光膜产生破坏。4. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中该第一彩色滤光膜颜料、第二彩色滤光膜颜料及第三彩色滤光膜颜料分别为红色彩色滤光膜颜料、绿色彩色滤光膜颜料及蓝色彩色滤光膜颜料。5. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中该第一涂覆层为高分子聚合树脂。6. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中该第二涂覆层系为一薄透明树脂。7. 如申请专利范围第6项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中该一薄透明树脂约为0.1m。8. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中该第一光阻剂及第二光阻剂系为正光阻剂。9. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中在蚀刻铝金属罩幕系以乾蚀刻法达成。10. 如申请专利范围第1项所述之以铝为高分子聚合树脂蚀刻罩幕之彩色CCD制程,其中蚀刻去除未具有第二光阻剂之铝罩幕层后在该焊垫区之两侧分别留有之一铝金属片更可以去除。图示简单说明:第一图系本发明较佳实施例之俯视示意图。 |