发明名称 SOLID-STATE IMAGING DEVICE METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
摘要 고화질의 화상을 취득한다.단위화소(120C)는, 입사광량에 응한 전하를 발생하여 내부에 축적하는 포토 다이오드(121)와, 포토 다이오드(121)에 의해 변환된 전하를 판독될 때까지 보존하는 메모리부(123)와, 포토 다이오드(121)에 축적된 모든 전하를 메모리부(123)에 전송하는 완전전송 경로(150), 및, 노광 기간중에 포토 다이오드(121)에서 발생한 소정 전하량을 초과하는 전하만을 메모리부(123)에 전송하는 중간전송 경로(140)를 갖는 제 1 전송 게이트(122)를 구비하고, 완전전송 경로(150)와 중간전송 경로(140)가 다른 영역에 형성된다. 본 발명은, 예를 들면, 고체 촬상 소자에 적용할 수 있다.
申请公布号 KR101683307(B1) 申请公布日期 2016.12.20
申请号 KR20110024288 申请日期 2011.03.18
申请人 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 发明人 오이케 유스케;카와무라 타카히로;야마카와 신야;야마무라 이쿠히로;마치다 타카시;소고 야스노리;사카 나오키
分类号 H01L27/146;H04N5/353;H04N5/363;H04N5/3745 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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