| 主权项 |
1. 一种用以制造射频标签之方法,该方法包含下列步骤:(a) 附着一半导体于一有机基质,该半导体具有第一与第二接触点,记忆体与逻辑以利用一频率来调变射频信号;(b) 利用一引线接合机器来附着第一引线之接合端于第一接触点;(c) 利用该引线接合机器来卷起第一引线至第一长度;(d) 附着第一引线于有机基质;(e) 在第一切割端切割引线成为第一长度;(f) 利用一引线接合机器来附着第二引线之接合端于第二接触点;(g) 利用该引线接合机器来卷起第二引线至第二长度;(h) 附着第二切割引线于有机基质;(i) 在第二切割端切割第二引线成为第二长度;因而第一与第二引线构成以该频率来接收信号之天线,该信号是由半导体逻辑来调变而调变之信号是由天线来传送。2. 根据申请专利范围第1项之方法,其中第一与第二长度皆等于该频率之1/4波长。3. 根据申请专利范围第1项之方法,该方法进一步包含利用封装剂来封装半导体与第一与第二接触点之步骤。4. 根据申请专利范围第3项之方法,其中封装剂是包含环氧树脂,矽酮,或聚合材料之任何封装剂。5. 根据申请专利范围第1项之方法,其中半导体利用一种附着晶片黏着剂来附着于基质。6. 根据申请专利范围第5项之方法,其中附着晶片黏着剂是包含丙烯,矽酮,或氨基甲酸酯之任何黏着剂。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中半导体是藉由加热基质来附着于基质。8. 根据申请专利范围第1项方法,其中半导体是藉由加热半导体来附着于基质。9. 根据申请专利范围第1项之方法,其中引线是藉由一种附着引线黏着剂来附着于基质。10. 根据申请专利范围第9项之方法,其中附着引线黏着剂是包含环氧树脂,矽酮,或丁酯酚之任何黏着剂。11. 根据申请专利范围第1项之方法,其中引线是藉由加热基质来附着于基质。12. 根据申请专利范围第1项之方法,其中引线是藉由加热引线来附着于基质。13. 根据申请专利范围第1项之方法,该方法进一步包含利用一顶部有机覆层来密封基质,半导体,与第一与第二引线之步骤。14. 根据申请专利范围第13项之方法,其中顶部有机覆层是单层。15. 根据申请专利范围第14项之方法,其中顶部有机覆层是由包含聚酯与聚乙烯之任何有机薄膜来组成且是利用加热来附着于基质,半导体与引线。16. 根据申请专利范围第13项之方法,其中顶部有机覆层具有一外层与一内层,外层是有机薄膜而内层是覆层黏着剂。17. 根据申请专利范围第16项之方法,其中覆层黏着剂是热敏感型且该覆层是藉由加热来附着于基质,半导体与引线。18. 根据申请专利范围第17项之方法,其中也增加压力以附着该覆层。19. 根据申请专利范围第17项之方法,其中覆盖黏着剂是一种包含乙基乙烯醋酸酯(EVA)之共聚合物。20. 根据申请专利范围第16项之方法,其中覆层黏着剂是压力敏感型且该覆层是藉由压力来附着于基质,半导体与引线。21. 根据申请专利范围第20项之方法,其中覆层黏着剂是一种包含丙烯,矽酮,或氨基甲酸酯之黏着剂。22.根据申请专利范围第16项之方法,其中基质之顶部是由附着之顶部覆层来覆盖而基质之底部是由附着之底部覆层来覆盖。23. 一种用以制造射频标签之之方法,该方法包含下列步骤:(a) 附着一半导体于一有机基质,该半导体具有第一与第二晶片接触点,记忆体与逻辑以利用一频率来调变射频信号;(b) 利用一引线接合机器来附着第一引线之第一接合端于第一晶片接触点;(c) 利用该引线接合机器来卷起第一引线至第一长度;(d) 附着第一引线之第一切割端于基质之第一终止位置;(e) 在第一切割端切割引线成为第一长度;(f) 利用一引线接合机器来附着第二引线之第二接合端于第二接触点;(g) 利用该引线接合机器来卷起第二引线至第二长度;(h) 附着第二引线之第二切割端于基质之第二终止位置;及(i) 在第二切割端切端第二引线成为第二长度;因而第一与第二引线构成以该频率来接收信号之天线,该信号是由半导逻辑来调变而调变之信号是由天线来传送。24. 根据申请专利范围第23项之方法,其中第一与第二长度皆等于频率之1/4波长。25. 一种用以制造射频标签之方法,该方法包含下列步骤:(a) 附着三或更多半导体于一片有机基质,每一半导体具有第一与第二晶片接触点,记忆体与逻辑以利用一频率来调变射频信号;(b) 利用一引线接合机器来附着第一引线之第一接合端于第一晶片之第一晶片接触点;(c) 利用该引线接合机器来卷起第一引线至第一长度;(d) 利用一引线接合机器来附着第一引线之第一切割端于第二晶片之第二晶片接触点;(e) 在第一切割端切割引线成为第一长度;(f) 利用一引线接合机器来附着第二引线之第二接合端于第一晶片之第二接触点;(g) 利用该引线接合机器来卷起第二引线至第二长度;(h) 利用一引线接合机器来附着第二引线之第二切割端于第三晶片之第一晶片接触点;(i) 在第二切割端切割第二引线成为第二长度;及(j) 在第一与第二半导体之间切割第一引线且在第一与第三半导体之间切割第二引线,因而第一与第二引线构成以该频率来接收信号之天线,该信号是由半导体逻辑来调变而调变之信号是由天线来传送。26. 一种用以制造射频标签之方法,该方法包含下列步骤:(a) 附着一半导体于一有机基质,该半导体具有第一与第二接触点,记忆体与逻辑以利用一频率来调变射频信号;(b) 利用一引线接合机器来附着一引线之第一接合端于半导体之第一接触点;(c) 利用该引线接合机器来卷起第一引线以绕过一或更多引线导引;(d) 利用一引线接合机器来附着该引线之切割端于第二接触点;及(e) 在位于第二接触点之一切割端切割引线成为一长度;因而引线构成以该频率来接收信号之摺叠式偶极天线,该信号是由半导体逻辑来调变而调变之信号是由天线来传送。27. 根据申请专利范围第26项之方法,其中半导体具有二或更多对之第一与第二接触点且为每一对接触点重覆步骤a-e以产生多于一摺叠式偶极天线。28. 根据申请专利范围第26项之方法,其中一或更多导引是浮凸于基质之栓。29. 根据申请专利范围第26项之方法,其中一或更多导引是暂时接触点基质之暂时杆。30. 根据申请专利范围第29项之方法,其中引线是藉由加热来附着于基质。31. 根据申请专利范围第26项之方法,其中一或更多导引是嵌入于基质之瓣。32. 根据申请专利范围第31项之方法,其中该瓣是由空气喷流来提高以捕获引线接合机器所回绕之引线。33. 根据申请专利范围第31项之方法,其中该瓣是由梢来提高。34. 一种用以制造射频标签之方法,该方法包含下列步骤:(a) 依照一阵列来附着四或更多半导体于一片有机基质,每一半导体具有第一,第二,第三与第四晶片接触点,与一记忆体与一逻辑以利用一频率来调变射频信号;(b) 利用一引线接合机器来附着第一引线之第一接合端于第一晶片之第一晶片接触点;(c) 利用该引线接合机器来卷起第一引线至第一长度;(d) 利用一引线接合机器来附着第一引线之第一切割端于第二晶片之第二晶片接触点;(e) 在第一切割端切割引线成为第一长度;(f) 利用该引线接合机器来附着第二引线之第二接合端于第一晶片之第二接触点;(g) 利用该引线接合机器来卷起第二引线至第二长度;(h) 利用该引线接合机器来附着第二引线之第二切割端于第三晶片之第一晶片接触点;(j) 在第二切割端切割第二引线成为第二长度;(i) 利用该引线接合机器来附着第三引线之第三接合端于第一晶片之第三晶片接触点;(k) 利用该引线接合机器来卷起第三引线至第三长度;( 利用该引线接合机器来附着第三引线之第三切割端于第四晶片之第四晶片接触点;( 在第三切割端切割第三引线成为第三长度;( 利用该引线接合机器来附着第四引线之第四接合端于第一晶片之第四晶片接触点;( 利用该引线接合机器来卷起第四引线至第四长度;( 附着第四引线之第四切割端于基质之一连结接触点;( 在第四切割端切割第四引线成为第四长度;( 在第一与第二半导体之间切割第一引线,在第一与第三半导体之间切割第二引线,且在第一与第四半导体之间切割第三引线,因而第一,第二,第三与第四引线构成以该频率来接收信号之二天线,该信号是由半导体逻辑来调变而调变之信号是由天线来传送。35. 根据申请专利范围第34项之方法,其中连结接触点是第五半导体之一接触点且在第一与第五半导体之间切割第四引线。36. 根据申请专利范围第34项之方法,其中二天线皆具有等长度之二引线组件。图示简单说明:图1是展示本发明之诸步骤的流程图。图2,包含图2A至2K,是展示图1所示之方法之每一步骤之射频(RF)标签的图形。图3,包含图3A至3E,是展示本方法之各步骤之细节的图形。图4,包含图4A至4B,是利用天线引线末端之金属垫终止点来制造之射频标签的图形。图5包含图5A与5B,而该等图形是藉由本发明之二较佳实例来切割一连续片之射频标签以制造个别标签的图形。图6展示藉由一刀片阵列来切割成为个别片段之一系列标签的侧视图。图7是藉由使用一暂时杆来导引天线引线之置放之回圈天线之制造的图形。图8是藉由使用一浮凸栓来导引天线引线之置放之回圈天线之制造的图形。图9是藉由使用一提高瓣来导引天线引线之置放之回圈天线之制造的图形。 |
