半导体元件的制造设备及制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件的制造设备及制造方法，以高生产率地制作金属与半导体界面的电阻小、特性优异、可靠性高的大面积的半导体元件。打开闸阀2a将备有a-Si∶H薄膜的样品送入样品准备室3，排气至10^-210^-3Pa的压力，从样品室3经中间室1将样品传送到离子照射室4，进行磷等的离子照射。离子照射后，打开闸阀2c，传送到压力10^-3～10^-7Pa的中间室1，然后打开闸阀2d，传送到淀积室5，将Ar气体导入淀积室5，通过溅射法，进行Al/Ti的金属膜的淀积，经中间室1将样品移出取出室6。

主权项

1.一种半导体元件的制造设备，其特征在于该设备具有：在减压气氛中对半导体薄膜或基片同时照射氢离子及含将成为前述半导体的掺杂剂的元素的离子的离子照射装置，及从在前述半导体薄膜或基片上，连续进行离子照射，不暴露于大气地形成薄膜的薄膜形成装置及进行加热处理的加热处理装置中选出的至少一种装置。