双极性电晶体的制造方法

摘要

一种双极性电晶体（bipolar transistor）的制造方法，其利用自动对准（self-align）的方式来形成射极区与基基区、集极区之浓掺植接触区的较小距离，用以降低二者之间的串联电阻。上述的制造方法主要包括：首先，在半导体基底表面上形成一氧化层，并蚀刻定义图案而分别在集极和基极区中形成开口；其次，形成一复晶矽层并植入杂质，利用一热退火处理使得上述杂质经由开口扩散而形成射极区及集极区的浓掺植接触区；接着，定义复晶矽层而在基极区范围内形成一环形开口；最后经由环形开口布植另一型杂质以形成基极区的浓掺植接触区，完成此双极性电晶体的制造。

主权项

1. 一种双极性电晶体的制造方法,包括下列步骤:提供一第一型矽基底当作该双极性电晶体的集极区,其中形成有一第二型井区当作该双极性电晶体的基极区;形成一氧化层覆盖在表面上,并蚀刻定义图案而分别在该集极区和该基极区中形成开口;形成一复晶矽层覆盖在该氧化层,该集极区,及该基极区露出的表面上;布植一第一型杂质进入该复晶矽层中;进行一热退火处理使得该第一型杂质经由该开口扩散,而同时在该基极区中形成一射极区,以及在该集极区中形成一第一型浓掺植接触区;蚀刻该复晶矽层而在该基极区范围内形成一环形开口;以及利用该复晶矽层当作罩幕,经由该环形开口植入一第二型杂质,而在该基极区中形成一第二型浓掺植接触区,完成该双极性电晶体的制造。2. 如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该第一型系N型,该第二型系P型。3. 如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该第一型系P型,该第二型系N型。图示简单说明:第1A至1C图为剖面示意图,绘示习知方法制造一双极性电晶体的流程;以及第2A至2D图为剖面示意图,绘示根据本发明之双极性电晶