| 主权项 |
1. 一种利用对其受质发生作用以调节活性(增强活性,或抑制活性)之方法,该方法包括接触至少一个选自下述族群之:由氧化还原、转移、水解、分解、异构及连接组成之族群,及其受质,且在至少部分上述接触期间,接触上述至少一个之量足以调节选自下述族群一大气之活性:主要由氩、氖、氙、氪及其混合物组成之族群,温度为自约液氮温度至约摄氏120@bs3,压力为高至约2大气压。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中,该气体为一种或更多种惰性气体。3. 如申请专利范围第1项之方法,其中,一种隔离之受该气体调节。4. 如申请专利范围第1项之方法,其中,该一种或更多种由抑制该之方法调节之。5. 如申请专利范围第1项之方法,其中,该一种或更多种系溶于溶液中,呈固定形态,在分散液内或在有机基质中。6. 如申请专利范围第1项之方法,其中,该一种或更多种之活性减低。7. 如申请专利范围第1项之方法,其中,该调节系在温度约摄氏20@bs3至约摄氏60@bs3间进行。8. 如申请专利范围第1项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su8大气压至约100大气压间进行。9. 如申请专利范围第8项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su3大气压至约3大气压间进行。10. 如申请专利范围第9项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su2大气压至约2大气压间进行。11. 如申请专利范围第1项之方法,其中,该调节系在气压约3大气压或低于3大气压进行。12. 一种抑制或减低活性之方法,该方法包括:使一种或更多种与一种选自下述族群之有效量气体接触:一种由惰性气体、惰性气体混合物、至少一种惰性气体与递送气体之混合物组成之族群,该惰性气体选自下述族群:由氩、氪、氙、氖及其混合物组成之族群;该递送气体选自下述族群:由二氧化碳、氧、氮及其混合物组成之族群。13. 如申请专利范围第12项之方法,其中,该气体系一种或更多种惰性气体。14. 如申请专利范围第12项之方法,其中,一种隔离之受该气体抑制。15. 如申请专利范围第12项之方法,其中,在一混合物中,一种或更多种之活性被抑制。16. 如申请专利范围第12项之方法,其中,该一种或更多种系溶于溶夜中,呈固定形态、在分散液内或在有机基质中。17. 如申请专利范围第12项之方法,其中,活性系在下述温度调节:自约液氮温度至约摄氏120@bs3。18. 如申请专利范围第12项之方法,其中,该调节系在温度约摄氏20@bs3至约摄氏60@bs3间进行。19. 如申请专利范围第12项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su8大气压至约100大气压间进行。20. 如申请专利范围第19项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su3大气压至约3大气压间进行。21. 如申请专利范围第19项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su2大气压至约2大气压间进行。22. 如申请专利范围第12项之方法,其中,该调节系在气压约3大气压或低于3大气压进行。23. 一种调节活性之方法,该方法包括:使一种或更多种与一种选自下述族群之有效量气体接触:由一种惰性气体、惰性气体混合物、至少一种惰性气体与递送气体之混合物组成之族群,该惰性气体选自下述族群:由氩、氪、氙、氖及其混合物组成之族群;该递送气体选自下述族群:由二氧化碳、氧、氮及其混合物组成之族群;温度范围足以使该气体,由活性抑制剂转变为活性增强剂,或由活性增强剂转变为活性抑制剂。24. 如申请专利范围第23项之方法,其中,该一种或更多种之活性减低。25. 如申请专利范围第23项之方法,其中,活性系在下述温度调节:自约液氮温度至约摄氏120@bs3。26. 如申请专利范围第25项之方法,其中,该调节系在温度约摄氏20@bs3至约摄氏60@bs3间进行。27. 如申请专利范围第23项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su8大气压至约100大气压间进行。28. 如申请专利范围第27项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su3大气压至约3大气压间进行。29. 如申请专利范围第28项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su2大气压至约2大气压间进行。30. 如申请专利范围第23项之方法,其中,该调节系在气压约3大气压或低于3大气压进行。31. 一种调节氧化还原活性之方法,系使一种或更多种氧化还原与一种选自下述族群之有效量气体接触:由一种惰性气体、惰性气体混合物、至少一种惰性气体与递送气体之混合物组成之族群,该惰性气体选自下述族群:由氩、氪、氙、氖及其混合物组成之族群;该递送气体选自下述族群:由二氧化碳、氧、氮及其混合物组成之族群。32. 如申请专利范围第31项之方法,其中,该气体系一种或更多种惰性气体。33. 如申请专利范围第31项之方法,其中,一种隔离之氧化还原受该气体调节。34. 如申请专利范围第31项之方法,其中,一种含有一氧化还原之混合物受下述方式调节:抑制该氧化还原、抑制该混合物中之一种或更多种或增强该氧化还原。35. 如申请专利范围第31项之方法,其中,该一种或更多种系溶于溶液中,呈固定形态、在分散液内或在有机基质中。36. 如申请专利范围第31项之方法,其中,该一种或更多种之活性减低。37. 如申请专利范围第31项之方法,其中,活性系在下述温度调节:自约液氮温度至约摄氏120@bs3。38. 如申请专利范围第37项之方法,其中,该调节系在温度约摄氏20@bs3至约摄氏60@bs3间进行。39. 如申请专利范围第31项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su8大气压至约100大气压间进行。40. 如申请专利范围第39项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su3大气压至约3大气压间进行。41. 如申请专利范围第39项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su2大气压至约2大气压间进行。42. 如申请专利范围第31项之方法,其中,该调节系在气压约3大气压或低于3大气压进行。43. 一种调节水解活性之方法,系使一种或更多种水解与一种选自下述族群之有效量气体接触:由一种惰性气体、惰性气体混合物、至少一种惰性气体与递送气体之混合物组成之族群,该惰性气体选自下述族群:由氩、氪、氙、氖及其混合物组成之族群;该递送气体选自下述族群:由二氧化碳、氧、氮及其混合物组成之族群。44. 如申请专利范围第43项之方法,其中,该气体系一种或更多种惰性气体。45. 如申请专利范围第43项之方法,其中,一种隔离之水解受该气体调节。46. 如申请专利范围第43项之方法,其中,一种含有一水解之混合物受下述方式调节:抑制该水解、抑制该混合物中之一种或更多种或增强该水解。47. 如申请专利范围第43项之方法,其中,该一种或更多种系溶于溶液中,呈固定形态、在分散液内或在有机基质中。48. 如申请专利范围第43项之方法,其中,该一种或更多种之活性减低。49. 如申请专利范围第43项之方法,其中,活性系在下述温度调节:自约液氮温度至约摄氏120@bs3。50. 如申请专利范围第49项之方法,其中,该调节系在温度约摄氏20@bs3至约摄氏60@bs3间进行。51. 如申请专利范围第43项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su8大气压至约100大气压间进行。52. 如申请专利范围第51项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su3大气压至约3大气压间进行。53. 如申请专利范围第52项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su2大气压至约2大气压间进行。54. 如申请专利范围第43项之方法,其中,该调节系在气压约3大气压或低于3大气压进行。55. 一种调节分解活性之方法,系使一种或更多种分解与一种选自下述族群之有效量气体接触:由一种惰性气体、惰性气体混合物、至少一种惰性气体与递送气体之混合物组成之族群,该惰性气体选自下述族群:由氩、氪、氙、氖及其混合物组成之族群;该递送气体选自下述族群:由二氧化碳、氧、氮及其混合物组成之族群。56. 如申请专利范围第55项之方法,其中,该气体系一种或更多种惰性气体或其混合物。57. 如申请专利范围第55项之方法,其中,一种隔离之分解受该气体调节。58. 如申请专利范围第55项之方法,其中,一种含有一分解之混合物受下述方式调节:抑制该分解、抑制该混合物中之一种或更多种或增强该分解。59. 如申请专利范围第55项之方法,其中,该一种或更多种系溶于溶液中,呈固定形态、在分散液内或在有机基质中。60. 如申请专利范围第55项之方法,其中,该一种或更多种之活性减低。61. 如申请专利范围第55项之方法,其中,活性系在下述温度调节:自约液氮温度至约摄氏120@bs3。62. 如申请专利范围第61项之方法,其中,该调节系在温度约摄氏20@bs3至约摄氏60@bs3间进行。63. 如申请专利范围第55项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su8大气压至约100大气压间进行。98. 如申请专利范围第63项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su3大气压至约3大气压间进行。99. 如申请专利范围第64项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su2大气压至约2大气压间进行。100. 如申请专利范围第65项之方法,其中,该调节系在气压约3大气压或低于3大气压进行。101. 一种调节转移活性之方法,系使一种或更多种转移与一种选自下述族群之有效量气体接触:由一种惰性气体、惰性气体混合物、至少一种惰性气体与递送气体之混合物组成之族群,该惰性气体选自下述族群:由氩、氪、氙、氖及其混合物组成之族群;该递送气体选自下述族群:由二氧化碳、氧、氮及其混合物组成之族群。102. 如申请专利范围第67项之方法,其中,该气体系一种或更多种惰性气体。103. 如申请专利范围第67项之方法,其中,一种隔离之转移受该气体调节。104. 如申请专利范围第67项之方法,其中,一种含有一转移之混合物受下述方式调节:抑制该转移、抑制该混合物中之一种或更多种或增强该转移。105. 如申请专利范围第67项之方法,其中,该一种或更多种之活性减低。106. 如申请专利范围第67项之方法,其中,活性系在下述温度调节:自约液氮温度至约摄氏120@bs3。107. 如申请专利范围第72项之方法,其中,该调节系在温度约摄氏20@bs3至约摄氏60@bs3间进行。108. 如申请专利范围第67项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su8大气压至约100大气压间进行。109. 如申请专利范围第74项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su3大气压至约3大气压间进行。110. 如申请专利范围第75项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su2大气压至约2大气压间进行。111. 如申请专利范围第67项之方法,其中,该调节系在气压约3大气压或低于3大气压进行。112. 一种调节异构活性之方法.系使一种或更多种异构与一种选自下述族群之有效量气体接触:由一种惰性气体、惰性气体混合物、至少一种惰性气体与递送气体之混合物组成之族群,该惰性气体选自下述族群:由氩、氪、氙、氖及其混合物组成之族群;该递送气体选自下述族群:由二氧化碳、氧、氮及其混合物组成之族群。113. 如申请专利范围第78项之方法,其中,该气体系一种或更多种惰性气体或其混合物。114. 如申请专利范围第78项之方法,其中,一种隔离之异构受该气体调节。(8) 如申请专利范围第78项之方法,其中,一种含有一异构之混合物受下述方式调节:抑制该异构、抑制该混合物中之一种或更多种或增强该异构。(9) 如申请专利范围第78项之方法,其中,该一种或更多种系溶于溶液中,呈固定形态、在分散液内或在有机基质中。(:) 一种调节连接活性之方法,系使一种或更多种连接与一种选自下述族群之有效量气体接触:由一种惰性气体、惰性气体混合物、至少一种惰性气体与递送气体之混合物组成之族群,该惰性气体选自下述族群:由氩、氪、氙、氖及其混合物组成之族群;该递送气体选自下述族群:由二氧化碳、氧、氮及其混合物组成之族群。(;) 如申请专利范围第83项之方法,其中,该气体系一种或更多种惰性气体或其混合物。(<) 如申请专利范围第83项之方法,其中,一种隔离之连接受该气体调节。(=) 如申请专利范围第83项之方法,其中,一种含有一连接之混合物受下述方式调节:抑制该连接、抑制该混合物中之一种或更多种或增强该连接。(>) 如申请专利范围第83项之方法,其中,该一种或更多种之活性减低。() 如申请专利范围第83项之方法,其中,活性系在下述温度调节:自约液氮温度至约摄氏120@bs3。(@) 如申请专利范围第88项之方法,其中,该调节系在温度约摄氏20@bs3至约摄氏60@bs3间进行。(A) 如申请专利范围第83项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su8大气压至约100大气压间进行。(B) 如申请专利范围第90项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su3大气压至约3大气压间进行。(C) 如申请专利范围第91项之方法,其中,该调节系在气压约10@su-@su2大气压至约2大气压间进行。(D) 一种变换反应中最适相对及受质浓度之方法,该方法包括:使一种或更多种与一种选自下述族群之有效量气体接触:由一种惰性气体、惰性气体混合物、至少一种惰性气体与递送气体之混合物组成之族群,该惰性气体选自下述族群:由氩、氪、氙、氖及其混合物组成之族群;该递送气体选自下述族群:由二氧化碳、氧、氮及其混合物组成之族群。(E) 如申请专利范围第93项之方法,其中,该气体系一种或更多种惰性气体或其混合物。(F) 一种调节一种或更多种反应速率之方法,该方法包括:使一种或更多种与一种选自下述族群之有效量气体接触:由一种惰性气体、惰性气体混合物至少一种惰性气体与递送气体之混合物组成之族群,该惰性气体选自下述族群:由氩、氪、氙、氖及其混合物组成之族群;该递送气体选自下述族群:由二氧化碳、氧、氮及其混合物组成之族群。(G) 如申请专利范围第95项之方法,其中,该气体系一种或更多种惰性气体。(H) 一种增强一种或更多种反应速率之方法,该方法包括:使一种或更多种与含有一种或更多种惰性气体或其混合物之气体接触,该惰性气体系选自下述族群:由氩、氪、氙、氖及其混合物组成之族群。(I) 如申请专利范围第97项之方法,其中,该气体系一种或更多种惰性气体。图示简单说明:图1系说明酪胺酸之吸收光谱。图2系说明左旋-酪胺酸之吸收光谱。图3系说明酪胺酸及左旋-酪胺酸(并以左旋-酪胺酸作空白比对试验)之吸收光谱。图4系说明以不同酪胺酸浓度实施反应所得结果之重叠,显示其直接与酪胺酸浓度之线性一级依赖关系。图5系说明在等重量浓度下氙对酪胺酸之抑制作用。图6系说明在温度26℃之下,氙对酪胺酸之极大抑制作用。图7系说明在温度15℃之下,氩对酪胺酸-酪胺酸反应之平衡具有轻微之抑制作用;氙具有小而重要之抑制效果,氖及氪则显示具有大抑制效果。图8系说明在温度20℃之下,氙、氪、氖及氩对酪胺酸-左旋-酪胺酸反应之抑制效果。图9系说明在温度20℃之下,氧对酪胺酸-左旋-酪胺酸反应无增强效果。图10系说明在温度25℃之下,氖、氩、氪及氙对酪胺酸-左旋-酪胺酸反应之抑制效果。图11系说明在温度25℃之下,氧对酪胺酸-左旋-酪胺酸反应无增强效果。图12系说明在温度30℃之下,氖、氩、氪及氙对酪胺酸-左旋-酪胺酸反应之抑制作用。图13系说明在温度30℃之下,氧对酪胺酸-左旋-酪胺酸反应无增强效果。图14系说明在不同温度下大气中之标准实验并显示速率变化系直接归因于氧溶解度之差异。图15系说明氖对酪胺酸-左旋-酪胺酸反应(该反应系绝对因温度而异)之抑制效果。图16系说明氪对酪胺酸之抑制能力与温度之间具有直接倒数(负)关系。图17系说明氙(该惰性气体之交互作用与温度成反比)对酪胺酸-左旋-酪胺酸平衡之抑制作用。图18系说明在温度20℃之下,氧不能增强酪胺酸-左旋-酪胺酸反应,但氩、氙分别对该反应极具抑制作用。氪之抑制效果较氮略差。图19系说明在温度25℃之下,氩及氮抑制酪胺酸-左旋-酪胺酸之程度较惰性气体者为低,而且氧可增强该反应。图20系说明在温度30℃之下,由于溶解度减低,氧不再增强对酪胺酸-左旋-酪胺酸反应。图21系说明在不同温度下,氖对酪胺酸-左旋-酪胺酸反应之抑制作用,并显示20℃与25℃之间有一过渡状况。图22系说明在不同温度下,氩对酪胺酸-左旋-酪胺酸反应之抑制作用。图23系说明在不同温度下,氪对酪胺酸-左旋-酪胺酸反应之抑制作用。图24系说明在不同温度下,氙对酪胺酸-左旋-酪胺酸反应之抑制作用。图25系说明纯由溶解度机构(包括氧自溶液中之置换)对酪胺酸-左旋-酪胺酸反应之抑制作用。图26系说明氮对酪胺酸活性之抑制作用。图27系说明在温度20℃与25℃之间,氙活性之极大差异。图28系说明氪、氙、氩、氮及氖对葡萄糖氧化之抑制作用。图29系说明氪、氙、氩及氪与氙之混合物对-麸胺醯转之抑制作用。图30系说明氪、氙、氩及氪与氙之混合物对天门冬胺酸胺基转移之抑制作用。图31系说明氮、氖及氧对-右旋-葡萄糖 之增强作用。图32系说明氖、氧及氮对苯丙胺酸氨-分解之增强作用。图33系说明氙及氪对柠檬酸合成之增强作用及氩对其之抑制作用。图34系说明在温度10℃之下,氙、氩及氪与氙之混合物对磷葡萄糖异构之增强作用。图35系说明在温度25℃之下,氖及氮对磷葡萄糖异构之增强作用及氧对其之抑制作用。图36系说明在温度25℃之下,氪及氪与氙之混合物对S-乙醯辅A合成之增强作用。图37系说明在压力100大气压温度25℃之状况下,空气及氮对-葡萄糖 之抑制作用。图38系说明在压力30大气压下,空气及氮对-葡萄糖之抑制作用。图39系说明在压力30大气压下,空气、氙及氮对酪胺酸之抑制作用。图40系说明在压力100大气压下,空气、氙及氮对酪胺酸之抑制作用。图41系说明-受质之浓度影响惰性气体增强作用/抑制作用之结果。图42系说明在10℃温度下,氙及氖分别先增强,再抑制乳酸脱氢之不同效果。图43系说明即使在60℃温度下,惰性气体对仍具有增强作用或抑制效果。图44系说明氙对固定形态之-葡萄糖 之增强效果。图45系说明在空气笼罩及五种不同受质浓度之情况下,-葡萄糖 之紫外线/可见光吸收率曲线。图46系说明在氙笼罩及五种不同受质浓度之情况下,-葡萄糖 之紫外线/可见光吸收率曲线。图47系说明-葡萄糖 -充空气反应一次幂曲线退转速率之线性转变。图48系说明-葡萄糖 -充氙气反应一次幂曲线退转速率之线性转变。图49及图50系说明该实验所研究之全部气体之一次幂速率近似退转之线性比。图51及图52系说明单独酪胺酸实验开始160秒钟内之数据( |
