3D-Gehäuse mit gestapelten Chips und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Gehäuse (3000), das Folgendes umfasst: einen ersten Die (3002), der eine erste Umverteilungsschicht (3006) aufweist, die auf einer ersten Seite eines ersten Substrats (3004) angeordnet ist; einen zweiten Die (3008), der eine zweite Umverteilungsschicht (3012) aufweist, die auf einer ersten Seite eines zweiten Substrats (3010) angeordnet ist, wobei die erste Umverteilungsschicht mit der zweiten Umverteilungsschicht gebondet ist; einen dritten Die (3202), der eine dritte Umverteilungsschicht (3206) aufweist, die auf einer ersten Seite eines dritten Substrats (3204) angeordnet ist, wobei der dritte Die (3202) über dem zweiten Die befestigt ist, wobei der zweite Die zwischen dem ersten Die und dem dritten Die angeordnet ist; erste Durchkontaktierungen (3102), die sich durch das zweite Substrat (3010) erstrecken und von ihm elektrisch isoliert sind, wobei die ersten Durchkontaktierungen (3102) ein leitendes Element (3104) in der ersten Umverteilungsschicht oder der zweiten Umverteilungsschicht kontaktieren; zweite Durchkontaktierungen (3302), die sich durch das dritte Substrat (3204) erstrecken und von ihm elektrisch isoliert sind, wobei die zweiten Durchkontaktierungen (3302) jeweils ein leitendes Element (3104) in der dritten Umverteilungsschicht oder eine der ersten Durchkontaktierungen kontaktieren, wobei zumindest eine der ersten Durchkontaktierungen (3102) ein leitendes Element (3104) in der ersten Umverteilungsschicht kontaktiert oder zumindest eine der zweiten Durchkontaktierungen (3302) eine der ersten Durchkontaktierungen kontaktiert; und eine erste Formmasse (3016), die um den zweiten Die herum angeordnet ist; wobei sich mindestens eine der ersten Durchkontaktierungen von einer oberen Fläche der ersten Formmasse durch eine untere Fläche der Formmasse in die erste Umverteilungsschicht erstreckt.