| 主权项 |
1. 一种半导体元件,包含:位于一半导体晶片之一表面上之电极端装置,该电极端装置在平面图有一方形形状;以及位于该电极端装置上之凸块装置,该凸块装置之一突出顶部朝向该电极端装置之一角部。2. 一种半导体元件之制造方法,包含使用一作为该凸块材料之金线在一半导体晶片表面之一电极端上形成一凸块之步骤,该金线是经由一毛细管中供应,该电极端在平面图有一方形形状,以及该凸块形成步骤包含以下步骤:接合一金球珠至该电极端,该金球珠是由熔化该金线之一端部而形成;以及沿该方形电极端之一对角线方向移动该毛细管使该金线之主要部份与该金球珠分开。3. 一种半导体元件之制造方法,包含使用一作为该凸块材料之金线分别在一半导体晶片表面之第一及第二电极端上形成一凸块之步骤,该金线是经由一毛细管中供应,以及该凸块形成步骤包含以下步骤:接合一金球珠至位于该毛细管正下方之该第一电极端,该金球珠是在一预定之火花状况下熔化该金线之一端部而形成;移动一夹持该半导体晶片之夹持支座,使该第二电极端位于该毛细管之正下方;以及接合另一金球珠至该第二电极端以形成一第二凸块,该金球珠是在一与该第一凸块之该火花状况相同之火花状况下熔化该金线之该端部而形成。4. 一种半导体元件之制造方法,包含使用一作为该凸块材料之金线分别在一半导体晶片表面之第一及第二电极端上形成一凸块之步骤,该金线是经由一毛细管中供应,以及该凸块形成步骤包含以下步骤:接合一金球珠至位于该毛细管正下方之该第一电极端以形成一第一凸块,该金球珠是由使用一火焰式电极在一预定之火花状况下熔化该金线之一端部而形成;以及绕该毛细管移动该火焰式电极使该金线之该端部可在与该第一凸块之该火花状况相同之火花状况下熔化,然后接合另一金球珠至该第二电极端以形成一第二凸块,该金球珠是在该火花状况下熔化该金线之该端部而形成。5. 一种半导体元件之制造方法,包含:以一半导体夹持器在相对于半导体晶片具有多个凸块之表面的另一表面夹持该半导体晶片;以及部份或全部压抵该等凸块至一校平平台使每一该等凸块有相同的度,并同时执行对该半导体晶片之一功能测试。6. 依据申请专利范围第5项所述之制造方法,其中是以在该校平平台之部份区域所提供之一功能测试用电极来执行该半导体晶片之该功能测试,该部份区域将与该等凸块之一接触。7. 依据申请专利范围第6项所述之制造方法,其中是以所提供之每一对应于该等凸块之一之功能测试用电极执行该半导体晶片之该功能测试,每一该等电极包含二个彼此相邻之电接触点。8. 依据申请专利范围第5项所述之制造方法,其中在该等凸块被压抵至该校平平台,至少该半导体夹持器及该校平平台其中之一被加热。9. 一种制造一接合至电路基片之半导体元件之方法,其中位于该半导体元件所提供之每一电极端上之凸块连接至该电路基片之一对应电极以形成一电路,该制造方法包含以下步骤:定位该半导体元件相对于该电路基片之位置使每一该等凸块分别位于所对应之该电路基片上之一该等电极之上方;以及将该半导体元件压抵该电路基片使每一该等凸块之顶部变形,并因此使每一该等凸块之高度适应所对应之该电路基片上之一该等电极之实际高度。10. 依据申请专利范围第9项所述之制造方法,其中在该半导体元件被压抵至该电路基片时,执行对该半导体元件中之一电路之功能测试。11. 依据申请专利范围第9项所述之制造方法,其中在该半导体元件被压抵至该电路基片时,加热该半导体元件。12. 一种接合一半导体元件至一电路基片之方法,位于该半导体元件所提供之每一电极端上之凸块连接至该电路基片之一对应电极以形成一电路,该方法包含以下步骤:定位该半导体元件相对于该电路基片之位置使每一该等凸块分别位于所对应之该电路基片上之一该等电极之上方;将该半导体元件压抵该电路基片使每一该等凸块之顶部变形,并因此使每一该等凸块之高度适应所对应之该等基片上之一该等电极之实际高度;将该半导体元件之该等凸块推抵至一其上施加一层导电胶粘剂或乳状焊剂之扁平板表面使该导电胶粘剂或该乳状焊剂移转至该等凸块;以及定位该半导体元件相对于该电路基片之位置使每一移转有该导电胶粘剂或该乳状焊剂之该等凸块分别被置于所对应之该电路基片上之一该等电极上,以接合该半导体元件至该电路基片。13. 依据申请专利范围第12项所述之方法,其中在该半导体元件被压抵至该电路基片时,执行对该半导体元件中之一电路之功能测试。14. 依据申请专利范围第12项所述之方法,其中在该半导体元件被压抵至该电路基片时,加热该半导体元件。图示简单说明:第1图系一依据本发明之具有凸块之半导体元件(积体电路元件)之平面图,显示在凸块周围之半导体元件之一部份;第2图系第1图所示之半导体元件之部份侧视截面图;第3图系一在凸块形成步骤中用以形成凸块之一包含半导体元件及一装置之组件之部份侧视截面图;第4图系一透视图,显示在凸块形成步骤中用以形成凸块之一包含半导体元件及装置之组件;第5图系一包含一毛细管及一火焰式电极之组件简图,显示此二元件间之位置关系;第6图系一侧视图,显示一校平处理装置与依据本发明之半导体元件在校平处理前之状态;第7图系一侧视图,显示校平处理装置与依据本发明之半导体元件在校平处理期间之状态;第8图系一侧视图,显示另一校平处理装置与依据本发明之半导体元件在校平处理前之状态;第9图系一侧视图,显示校平处理装置与依据本发明之半导体元件在校平处理期间之状态;第10图系另一校平处理装置与依据本发明之半导体元件之侧视图;第11图系另一校平处理装置与依据本发明之半导体元件之侧视图;第12图系一具有凸块之半导体元件之侧视图;第13图系一具有电极之电路基片之侧视图;第14图系一包含半导体元件与电路基片之组件之侧视图,显示半导体元件之每一凸块高度适应电路基片之一对应电极之高度;第15图系每一凸块高度已更正之半导体元件之侧视图;第16图系一包含半导体元件与电路基片之组件之侧视图,显示半导体元件之每一凸块高度适应电路基片之一对应电极之高度;第17图系一依据本发明之半导体元件之侧视图,显示该元件被压抵至一表面施加一导电胶粘剂之扁平板之将导电胶粘剂移转至每一凸块之顶部;第18图系一侧视图,显示一包含半导体元件及被半导体元件接合之电路基片之组件;第19图系一在凸块形成步骤中用以形成凸块之一包含一传统半导体元件及一传统装置之组件之部份侧视截面图;第20图系一侧视图,显示一包含传统半导体元件及一用以校平处理半导体元件之传统校平处理装置之组件。第21图系一具有凸块之传统半导体元件之侧视图;第22图系一侧视图,显示一包含传统半导体元件及一用以压平半导体元件凸块之传统装置之组件;第23图系一传统半导体元件之侧视图,显示该元件被压抵至一表面施加一导电胶粘剂之扁平板以将导电胶粘剂移转至每一凸块之顶部。第24图系一侧视图,显示一包含传统半导体元件及一被半 |
