发明名称 Verfahren zur Herstellung eines dotierten Gebietes in einem Substrat und Anwendung bei der Herstellung eines Bipolartransistors
摘要
申请公布号 DE59207159(D1) 申请公布日期 1996.10.24
申请号 DE19925007159 申请日期 1992.06.02
申请人 SIEMENS AG, 80333 MUENCHEN, DE 发明人 EHINGER, KARL, DR. DIPL.-PHYS., W-7500 KARLSRUHE 51, DE;BIANCO, MICHAEL, DIPL.-PHYS., W-8000 MUENCHEN 83, DE;KLOSE, HELMUT, DR. DIPL.-ING., W-8000 MUENCHEN 83, DE
分类号 H01L21/225;H01L21/331;H01L29/10;(IPC1-7):H01L21/225 主分类号 H01L21/225
代理机构 代理人
主权项
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